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2021-03-08 21:28 |
日本開發(fā)用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)
目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是臺(tái)積電、三星的5nm，明年有望量產(chǎn)3nm工藝，再往后的2nm工藝需要全新的技術(shù)，制造難度更高，是大國爭搶的制高點(diǎn)之一。在先進(jìn)工藝上，目前臺(tái)積電、三星及Intel等幾家實(shí)力強(qiáng)大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優(yōu)勢(shì)，但日本也沒有放棄先進(jìn)工藝上的努力。 Mg-Kh}U
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據(jù)日本媒體報(bào)道，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與中國臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）等展開合作，開發(fā)了用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)。 9C3q4.$D
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相比其他技術(shù)，該技術(shù)將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使“n型”和“p型”場效應(yīng)晶體管靠近的名為“CFET”的結(jié)構(gòu)。 zziuj
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