Runsheet和Monitorlink Enhancements

•對反射和透射監(jiān)控計算光學(xué)信號 4K% YS  
•當(dāng)膜層沉積時，動態(tài)加工因子（Dynamic Tooling Factors）可以不同 r73Xh"SL  
•信號數(shù)據(jù)可以適應(yīng)自定義范圍 *()#*0  
•對每個膜層，監(jiān)控波長和帶寬都可以改變 g9.hR8X  
•對每個膜層可以用不同的校驗芯片 O^hV<+CX  
•Monitorlink 可以將沉積設(shè)計反映到光學(xué)和晶體監(jiān)控上 @n3PCH6:Ao  
•監(jiān)控數(shù)據(jù)的圖表可以為手動監(jiān)控打印出來 !b_IH0]U  
Runsheet和Monitorlink特點 )/w2]d/9  
RUNSHEET操作 6<R U~Gh  
要建立一個runsheet, 在Essential Macleod中打開一個空白表格, 指定設(shè)計和機(jī)器配置，然后點Calculate。 Runsheet會自動指定光源、使用加工因子，計算信號。用戶可以改變所以參數(shù)中任何一個，如指定光源、監(jiān)控芯片、波長、帶寬。點擊Calculate，run sheet立即更新。除了計算機(jī)的容量以外，對膜層數(shù)、芯片數(shù)等沒有實際限制。 kE}Ib4]J  
Runsheet計算信號偏移的表格和曲線。通過可以應(yīng)用到單個膜層的0偏移和放大的控制，可以適應(yīng)自定義的范圍。根據(jù)信號的水平和最后一個峰－峰偏移的比例，表格中出現(xiàn)膜層終止信息。 *QJ/DC$  
直接修改監(jiān)控參數(shù)，所以在實際沉積以前可以評估不同的監(jiān)控計劃。Runsheet上的信息還可以拷貝到剪貼板，用于其它的處理和其它應(yīng)用格式。每個run sheet存成單獨的文件。重新調(diào)用時，Runsheet 檢查后續(xù)的材料數(shù)據(jù)或機(jī)器配置的任何變化，給出適當(dāng)?shù)木�告�?/span> z'*>Tk8h  
機(jī)器配置 FeJ5^Gh.  
生產(chǎn)沉積計劃的第一步是描述鍍膜機(jī)，這一步對每臺機(jī)器只需要做一次，在Machine Configuration編輯器上輸入。相關(guān)的信息包括機(jī)器可以提供的材料和來源的名稱, 對光學(xué)監(jiān)控器, 可以提供的每種不同類型的芯片和其光學(xué)參數(shù)，監(jiān)控硬件的有些物理設(shè)置的細(xì)節(jié)；對晶體監(jiān)控器，晶體控制器的工作單位。在一個機(jī)器配置中，可以同時存在光學(xué)和晶體監(jiān)控器。 ]a()siT  
MONITORLINK 2 r)c?  
Monitorlink允許Essential Macleod和指定的沉積控制器通信。它將控制器的知識加到Essential Macleod中去, 包括控制器能夠?qū)嶋H執(zhí)行沉積程序的能力，也可以將程序裝載到控制器中去。 [;