| cyqdesign |
2021-04-29 22:09 |
中國科大發(fā)現(xiàn)硅基自旋量子比特操控優(yōu)化的新方法
中國科大郭光燦院士團隊在硅基自旋量子比特操控研究中取得重要進展。該團隊郭國平、李海歐研究組與合作者以及本源量子計算公司合作，對集成微磁體的硅基量子點進行研究，發(fā)現(xiàn)了自旋量子比特操控的各向異性：通過改變外加磁場與硅片晶向的相對方向，可以將自旋量子比特的操控速率、退相干速率和可尋址性進行同時優(yōu)化。該研究成果發(fā)表在4月27日出版的國際應(yīng)用物理知名期刊《Physical Review Applied》上。 >Ya+#j~CZ
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