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2021-10-29 22:57 |
通過半導(dǎo)體材料中預(yù)先存在的缺陷產(chǎn)生光的新方法
麻省理工學(xué)院在新加坡的研究企業(yè)新加坡-麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟（SMART）的低能電子系統(tǒng)（LEES）跨學(xué)科研究小組（IRG）的研究人員與麻省理工學(xué)院（MIT）、新加坡國立大學(xué)（NUS）和南洋理工大學(xué)（NTU）的合作者一起發(fā)現(xiàn)了一種通過使用半導(dǎo)體材料的內(nèi)在缺陷產(chǎn)生長波長（紅色、橙色和黃色）光的新方法，有可能被用作商業(yè)光源和顯示設(shè)備的直接發(fā)光器。 ?HEtr X,q
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這項技術(shù)將是對目前方法的一種改進(jìn)，例如，使用熒光粉將一種顏色的光轉(zhuǎn)換為另一種顏色。 J/]o WC`u
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氮化鎵(InGaN)LED是一種基于氮化物的第三類元素的發(fā)光二極管(LED)，在20多年前的90年代首次制造出來，此后不斷發(fā)展，變得越來越小，同時也越來越強(qiáng)大、高效和耐用。今天，InGaN LED可以在無數(shù)的工業(yè)和消費(fèi)者使用案例中找到，包括信號和光通信以及數(shù)據(jù)存儲，并且在高需求的消費(fèi)者應(yīng)用中至關(guān)重要，如固態(tài)照明、電視機(jī)、筆記本電腦、移動設(shè)備、增強(qiáng)型（AR）和虛擬現(xiàn)實（VR）解決方案。 KB %j ! ?
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