失效分析用IV曲線(xiàn)追蹤儀
[backcolor=rgba(0, 0, 0, 0.05)][color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]原創(chuàng) [color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 [color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]2022-01-21 09:54 Ee| y[ y,
[color=rgba(0, 0, 0, 0.5)]收錄于話(huà)題 =,9'O/br
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#芯片[color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]331個(gè) .w"O/6."
#集成電路[color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]130個(gè) / d;l:
#iv[color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]1個(gè) 6YbSzx` ?k
#失效分析[color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]16個(gè) &Kwt vUN{
#電性能測(cè)試[color=rgba(0, 0, 0, 0.3)]1個(gè) 3"RZiOyv
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失效分析用IV曲線(xiàn)追蹤儀 ~Y[b
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主要用途： 1NJ|%+I
集成電路芯片類(lèi)是目前失效分析中最復(fù)雜的過(guò)程，成品集成電路IC往往是封裝完好的芯片，封裝形式有DIP,QFP,PGA,BGA,QFN等等幾十種類(lèi)型，每種類(lèi)型芯片管腳又由幾只到幾百只不等，即使同種封裝形式同樣管腳的芯片，內(nèi)部晶圓（Die）的不同，也會(huì)將其功能千變?nèi)f化，空間中心所作為實(shí)際分析承載單位，如果測(cè)試成千上萬(wàn)種元器件，每種元器件編程過(guò)程也是需要一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，失效分析用IV曲線(xiàn)追蹤儀則可以直接記錄待測(cè)樣品的所有數(shù)據(jù)，與原始數(shù)據(jù)比對(duì)，從而判斷元器件具體失效管腳，是集成電路領(lǐng)域無(wú)損檢測(cè)環(huán)節(jié)不可或缺的一環(huán)。 b?,y%D) '
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該設(shè)備主要用于已封裝或未封裝集成電路的開(kāi)路/短路測(cè)試，I/V特性分析，靜態(tài)電流測(cè)量，漏電檢測(cè)；用于集成電路或系統(tǒng)電路的篩選和失效分析。 ~{{:-XkVB
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圖一 DO;
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新增設(shè)備的必要性： j/\XeG >
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失效分析用IV曲線(xiàn)追蹤儀主要用于分析IC的所有電流電壓曲線(xiàn)，用于鑒定其任意某一條曲線(xiàn)是否出現(xiàn)偏差，可以很大程度上彌補(bǔ)X光檢測(cè)由于分辨率無(wú)法分析的部分芯片，且可以在封裝領(lǐng)域及開(kāi)封后兩次驗(yàn)證IV曲線(xiàn)是否偏差的問(wèn)題。此設(shè)備可以在不需要詳細(xì)了解IC的所有數(shù)據(jù)的前提下通過(guò)良品及可疑帶測(cè)品的數(shù)據(jù)比對(duì)完成測(cè)試，可以大幅度提高篩選及分析工作效率，保證測(cè)試正確性。 75 ob1h"
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目前在集成電路行業(yè)中，對(duì)集成電路可靠性要求很高。芯片在工作中，微漏電現(xiàn)象較為普遍，微弱漏電在極端情況下往往會(huì)無(wú)限放大，造成芯片甚至整個(gè)控制系統(tǒng)失效，所以芯片微漏電現(xiàn)象是對(duì)于集成電路失效分析中極端重要的一環(huán)， bv0 %{u&
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使用失效分析用IV曲線(xiàn)追蹤儀，可以通過(guò)曲線(xiàn)的微弱偏差確認(rèn)具體的漏電管腳，從未為下一步EMMI光子偵測(cè)及液晶實(shí)驗(yàn)提供測(cè)試條件及測(cè)試依據(jù)。從而完善整個(gè)測(cè)試流程。 Q)/q h;R u
目前七〇八所尚不具備對(duì)數(shù)字，邏輯等元器件的整體無(wú)損檢測(cè)電性分析定位能力，無(wú)法滿(mǎn)足“核高基”、“宇高工程”、“二代導(dǎo)航”后期多項(xiàng)宇航元器件等通用元件標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法驗(yàn)證需求和相關(guān)宇航元器件的標(biāo)準(zhǔn)研制與驗(yàn)證任務(wù)。 QO%K`}Q}
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