安徽大學(xué)在場(chǎng)效應(yīng)器件集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
近日，安徽大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院何剛教授團(tuán)隊(duì)在場(chǎng)效應(yīng)器件集成研領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Ultraviolet-Assisted Low-Thermal-Budget-Driven α‑InGaZnO Thin Films for High-Performance Transistors and Logic Circuits”為題發(fā)表在國(guó)際材料領(lǐng)域頂級(jí)期刊《ACS NANO》。安徽大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院2019級(jí)博士研究生張永春為第一作者，何剛教授為論文的通訊作者，安徽大學(xué)為第一通訊單位。 xh'^c^1
{\We72!
非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管因具有高遷移率、透明及大面積集成等優(yōu)勢(shì)已成為當(dāng)前平板顯示器件的核心驅(qū)動(dòng)元件。然而高k柵的引入誘導(dǎo)的界面失穩(wěn)及輸運(yùn)退化已成為未來(lái)大尺寸高清顯示器件發(fā)展的障礙。 z\Ui8jo:;
sd!sus|( R
何剛團(tuán)隊(duì)圍繞非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(α-IGZO-TFT)的遷移率和穩(wěn)定性的雙重提升開(kāi)展了系統(tǒng)研究，提出基于紫外照射與氧氛圍低溫超快退火協(xié)同處理模式實(shí)現(xiàn)了溝道層材料的氧空位缺陷調(diào)控和微結(jié)構(gòu)重排，有效避免了單一快速退火導(dǎo)致的遷移率和關(guān)態(tài)電流同步增大的困境，成功構(gòu)筑高遷移率（~23.12 cm2 V-1S−1）且超穩(wěn)(SS~0.08 V/decade) α-IGZO-TFT器件和高增益全擺幅邏輯反相器（~13.8）。該研究工作有望解決α-IGZO TFTs在未來(lái)超高清顯示應(yīng)用中的穩(wěn)定性問(wèn)題，為將α-IGZO TFT集成到柔性電子系統(tǒng)中提供了一種簡(jiǎn)便且可設(shè)計(jì)的優(yōu)化工藝。 )/%S=c
,YlQK;
[attachment=111817] ZgF/;8!~V-
紫外照射與氧氛圍低溫超快退火協(xié)同處理模式及α-IGZO-HfAlO-TFT特性測(cè)試圖 w~-X>~
|