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2022-05-27 10:54 |
安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
近日,安徽大學(xué)物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得最新研究進(jìn)展,在氮化鎵GaN HEMT方向取得突破。 uo%P+om_} bNs4 5hDP 基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的功率開關(guān)器件已經(jīng)逐步滲透工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,但是由于器件可靠、穩(wěn)定性的不足,限制了其進(jìn)一步向電動(dòng)汽車、航天航空等領(lǐng)域推廣。本工作中,基于安徽大學(xué)微納加工平臺(tái)以及香港科技大學(xué)納米系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)制造中心聯(lián)合制造出了兩款氮化鎵功率器件,分別實(shí)現(xiàn)了電壓驅(qū)動(dòng)/電流驅(qū)動(dòng)的柵極結(jié)構(gòu),為后續(xù)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和研發(fā)提供了器件技術(shù)支持;工作中也同時(shí)提出了兩種結(jié)構(gòu)在高溫下的穩(wěn)定性模型,為進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎(chǔ)。
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