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cyqdesign

2022-07-14 20:47

中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

近日，中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。據(jù)悉，a-IGZO被視為實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的最佳候選溝道材料之一。三維集成技術(shù)的本質(zhì)是為提高晶體管在芯片上的集成密度。因此，對(duì)于兼容后道工藝的a-IGZO晶體管來說，探索其尺寸的極限微縮是實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的關(guān)鍵。

[attachment=113420]
器件結(jié)構(gòu)示意圖及TEM表征圖

針對(duì)上述問題，微電子所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研人員通過采用宏觀電學(xué)測(cè)試和微觀表征技術(shù)相結(jié)合的方法，研究了尺寸微縮時(shí)a-IGZO晶體管基本特性的變化規(guī)律，通過微縮柵介質(zhì)等效氧化層厚度和半導(dǎo)體厚度來提高器件的柵控能力，進(jìn)一步優(yōu)化金屬半導(dǎo)體接觸，降低了器件的接觸電阻，并使用柵控能力更強(qiáng)的雙柵互聯(lián)結(jié)構(gòu)與操作模式，實(shí)現(xiàn)了性能優(yōu)異的雙柵a-IGZO短溝道晶體管。

此外，基于該成果的文章入選2022 VLSI，同時(shí)入選demon session 文章。

天藍(lán)色3230	2022-07-14 23:30
加油，加油！

tomryo	2022-07-15 07:09
中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

wssf001	2022-07-15 07:23
這對(duì)芯片行業(yè)的發(fā)展又是一大促進(jìn)

有生之年

2022-07-15 08:25

實(shí)驗(yàn)室科研人員通過采用宏觀電學(xué)測(cè)試和微觀表征技術(shù)相結(jié)合的方法，研究了尺寸微縮時(shí)a-IGZO晶體管基本特性的變化規(guī)律，通過微縮柵介質(zhì)等效氧化層厚度和半導(dǎo)體厚度來提高器件的柵控能力，進(jìn)一步優(yōu)化金屬半導(dǎo)體接觸，降低了器件的接觸電阻，并使用柵控能力更強(qiáng)的雙柵互聯(lián)結(jié)構(gòu)與操作模式，實(shí)現(xiàn)了性能優(yōu)異的雙柵a-IGZO短溝道晶體管。

牛開心	2022-07-15 08:26
實(shí)現(xiàn)了性能優(yōu)異的雙柵a-IGZO短溝道晶體管

u201713898	2022-07-15 08:43
這對(duì)芯片行業(yè)的發(fā)展又是一大促進(jìn)

初書亦	2022-07-15 08:46
不錯(cuò)，不錯(cuò)！ "\|PX5 HisH\z/i5)

光學(xué)白小白	2022-07-15 09:08
a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

鉆研光設(shè)小學(xué)僧	2022-07-15 09:15
厲害厲害

木子示羊	2022-07-15 09:32
中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

jameszyhuang	2022-07-15 09:34
中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

wmh1985

2022-07-15 09:37

中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。據(jù)悉，a-IGZO被視為實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的最佳候選溝道材料之一。三維集成技術(shù)的本質(zhì)是為提高晶體管在芯片上的集成密度。因此，對(duì)于兼容后道工藝的a-IGZO晶體管來說，探索其尺寸的極限微縮是實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的關(guān)鍵。

honestccw	2022-07-15 10:21
默默無聞的科學(xué)工作者

fei666	2022-07-15 10:30
基于該成果的文章“Scaling Dual-Gate Ultra-thin a-IGZO FET to 30 nm Channel Length with Record-high Gm,max of 559 μS/μm at VDS=1 V, Record-low DIBL of 10 mV/V and Nearly Ideal SS of 63 mV/dec”入選2022 VLSI，同時(shí)入選demon session 文章。微電子所碩士生陳楷飛為第一作者，楊冠華副研究員和李泠研究員為通訊作者。 LeNSjxB [attachment=113426]

浮夸	2022-07-15 10:36
中科院加油

personking	2022-07-15 11:27
中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

光學(xué)小白a	2022-07-15 11:31
中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

周末末沒有周末	2022-07-15 13:08
a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

blacksmith	2022-07-15 14:52
厲害好厲害

only丶	2022-07-15 16:53
這對(duì)芯片行業(yè)的發(fā)展又是一大促進(jìn) be?Bf^O>

jeremiahchou

2022-07-15 18:16

xjz0203	2022-07-15 18:40
a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

churuiwei	2022-07-15 18:41
中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

譚健	2022-07-15 20:52
加油，加油！

道到	2022-07-15 20:54
中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

譚健	2022-07-15 20:55
中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

jabil	2022-07-15 21:15
Nice information M4% 3a j

liu.wade	2022-07-15 22:54
中科院微電子研究所在a-IGZO晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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