| cyqdesign |
2022-08-18 17:48 |
中科院微電子所在垂直溝道納米晶體管研發(fā)方面獲進(jìn)展
垂直溝道納米器件因其對柵長限制小、布線靈活及便于3D一體集成等優(yōu)勢，在1納米邏輯器件/10納米 DRAM存儲器及以下技術(shù)代的集成電路先進(jìn)制造技術(shù)方面具有巨大應(yīng)用潛力。 \5P 5N]]
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要實(shí)現(xiàn)垂直溝道納米晶體管的大規(guī)模制造，須對其溝道尺寸和柵極長度進(jìn)行精準(zhǔn)控制。對于高性能垂直單晶溝道納米晶體管，現(xiàn)階段控制溝道尺寸的最好方法是采用先進(jìn)光刻和刻蝕技術(shù)，但該技術(shù)控制精度有限，導(dǎo)致器件性能波動過大，不能滿足集成電路大規(guī)模先進(jìn)制造的要求。 p1!-|Sqq
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