中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)王亮教授和韓正甫教授課題組研發(fā)的InGaAs單行載流子探測(cè)器芯片取得重大進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)設(shè)計(jì)優(yōu)化表面等離激元結(jié)構(gòu)，開(kāi)發(fā)成功低暗計(jì)數(shù)、高響應(yīng)度、高帶寬的單行載流子探測(cè)器芯片，為近紅外探測(cè)器性能提升提供了開(kāi)創(chuàng)性的方法，相關(guān)研究成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni-Traveling-Carrier Photodiode”為題，發(fā)表在電子工程技術(shù)領(lǐng)域的知名期刊ACS Applied Electrical上。 v!>(1ROQ.= ]UMt