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光行天下 -> 光學(xué)薄膜設(shè)計(jì),工藝與設(shè)備 -> 蒸鍍AS/AF的問(wèn)題 [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本] [打印本頁(yè)]

danieltsai06 2022-12-01 08:50

蒸鍍AS/AF的問(wèn)題

機(jī)型:OPTORUN1850 <A&R%5Vs  
AS膜厚15nm. ^}[ N4  
外圈AS可達(dá)規(guī)水接觸角110度,但是內(nèi)圈都達(dá)不到,有什么改善方法嗎? o{Ep/O`  
懇求指教!!!
xzaxd 2022-12-01 11:02
蒸發(fā)源抬高試一試?或者增加厚度
ouyuu 2022-12-01 21:36
蒸發(fā)源的位置很重要。材料蒸發(fā)后是往擴(kuò)散泵的方向走的。 1M{#"t{6  
如果蒸發(fā)源在靠門(mén)的位置,那么蒸發(fā)的分布應(yīng)該就比較均勻了。 [*<&]^  
>k jJq]A2  
另外真空度也有關(guān)系,真空也會(huì)影響膜層分布。 {p\KB!Y-  
你可以試著空抽幾分鐘后再開(kāi)阻蒸
譚健 2022-12-01 22:20
路過(guò)學(xué)習(xí)看看呢
xiezhizhi 2022-12-02 12:39
學(xué)習(xí)看看呢
danieltsai06 2022-12-05 11:08
ouyuu:蒸發(fā)源的位置很重要。材料蒸發(fā)后是往擴(kuò)散泵的方向走的。 g-}sVvM  
如果蒸發(fā)源在靠門(mén)的位置,那么蒸發(fā)的分布應(yīng)該就比較均勻了。 nSiNSLv  
另外真空度也有關(guān)系,真空也會(huì)影響膜層分布。 OEW,[d  
你可以試著空抽幾分鐘后再開(kāi)阻蒸 (2022-12-01 21:36)  buXG32;  
1 %`:8  
真空度是越低較好,還是越高較好?
凱歌一萬(wàn)年 2022-12-07 17:25
聯(lián)系我   YKWQAZWSX &/F[kAy  
ouyuu 2022-12-10 12:33
danieltsai06:真空度是越低較好,還是越高較好? (2022-12-05 11:08)  F@bCm+z-  
[frD L)  
真空度代表了蒸發(fā)源的平均自由程,平均自由程影響分布。 L.[uMuUa  
真空度越高平均自由程越大,這樣到達(dá)遠(yuǎn)端的材料就越多。 c[lob{,  
\Pmk`^T  
只能說(shuō)影響分布,具體分布哪部分增多哪部分減少, ^X%4@,AE  
還要看具體的蒸發(fā)源位置,傘形,傘的高度,排氣口高度等等
hhjj123 2023-02-07 16:55
換材料,增加厚度
xhj0328 2023-02-11 08:55
厚度不夠,換材料
譚健 2023-02-11 14:06
或者增加厚度
peterwei 2023-02-28 10:30
好問(wèn)題 學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)
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