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cyqdesign

2022-12-08 22:35

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

當(dāng)前MOSFET器件的持續(xù)微縮所帶來的功耗問題已經(jīng)成為制約集成電路發(fā)展的主要瓶頸。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院及美國喬治梅森大學(xué)，合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負(fù)量子電容晶體管器件。研究成果在第68屆國際電子器件大會(huì)上發(fā)表。

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院消息顯示，該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng)，通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。該工作中，通過對(duì)器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性，及超過106的開關(guān)比，有效降低器件靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗。同時(shí)結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機(jī)理，為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑。

該項(xiàng)研究工作得到國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目資助。

tomryo	2022-12-11 07:00
復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

redplum	2022-12-11 08:48
很理化

likaihit	2022-12-11 08:48
很不錯(cuò)啊

瑤臺(tái)飛鏡	2022-12-11 08:54
用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng)，通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。

copland	2022-12-11 09:04
低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

六佰	2022-12-11 10:34
合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負(fù)量子電容晶體管器件

bairuizheng	2022-12-11 14:50
看看新聞

szlsft	2022-12-11 15:29
為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑,祝賀！

wangjin001x	2022-12-11 15:36
復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

譚健	2022-12-11 18:32
很不錯(cuò)啊

譚健	2022-12-11 18:36
復(fù)旦大學(xué)了不起.

光學(xué)白小白	2022-12-11 20:14
低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

jeremiahchou

2022-12-11 20:51

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院消息顯示，該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng)，通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。該工作中，通過對(duì)器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性，及超過106的開關(guān)比，有效降低器件靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗。同時(shí)結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機(jī)理，為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑。

tomryo	2022-12-12 07:00
復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管

zeno	2022-12-12 08:39
QS{1CC9$ 89\n;5'f4 復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件 KcK>%% ZHGC6a!a

夢(mèng)夕	2022-12-12 08:40
合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負(fù)量子電容晶體管器件

雨后無文	2022-12-12 08:51
為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑

楊森	2022-12-12 08:52
該項(xiàng)研究工作得到國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目資助

wheo2022	2022-12-12 08:58
復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

honestccw	2022-12-12 09:06
了解一下

churuiwei	2022-12-12 09:11
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院及美國喬治梅森大學(xué)

blacksmith	2022-12-12 09:13
低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管

光學(xué)白小白	2022-12-12 09:15
一種具有陡峭亞閾值擺幅的負(fù)量子電容晶體管器件

swy312	2022-12-12 09:27
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院消息顯示，該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng)，通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。

sgsmta	2022-12-12 09:36
負(fù)量子電容晶體管器件

瑤臺(tái)飛鏡	2022-12-12 09:36
(HSgEs1d x-?{E 復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件 4H\|(c[K; jcI&w#re

六佰	2022-12-12 09:54
為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑,祝賀！

wmh1985

2022-12-12 10:11

利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng)，通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。該工作中，通過對(duì)器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性，及超過106的開關(guān)比，有效降低器件靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗。同時(shí)結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機(jī)理，為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑。

wangjin001x	2022-12-12 11:30
研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

lz0121	2022-12-12 15:03
每日一則新聞

tassy	2022-12-12 15:05
新聞不錯(cuò)啊

jeremiahchou

2022-12-12 19:26

譚健	2022-12-12 22:15
很理化

redplum	2022-12-12 23:21
太牛了

likaihit	2022-12-12 23:22
好厲害

譚健	2022-12-14 21:22
很不錯(cuò)啊

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