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2022-12-30 13:22 |
2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞
2022年，載入史冊(cè)的科技成就，令人目不暇接。從無(wú)垠的太空到泥濘的稻田，廣大科技工作者在一個(gè)個(gè)領(lǐng)域踏下深深足印，在自立自強(qiáng)的道路上勇毅前行。這一年，我們共同見(jiàn)證新時(shí)代中國(guó)科技事業(yè)的澎湃力量。芳華綻放，夢(mèng)想生長(zhǎng)，創(chuàng)新的力量托舉起一個(gè)強(qiáng)盛的時(shí)代，創(chuàng)新的火炬照亮建設(shè)世界科技強(qiáng)國(guó)的征途。 $TXiWW+
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1. 首次制成柵極長(zhǎng)度最小的晶體管 3(V0,L'1
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人類又向摩爾定律的極限發(fā)起挑戰(zhàn)。這一次，中國(guó)人扮演了探索者的角色。 "D. <~!
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清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊(duì)首次制備出亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管，該晶體管具有良好的電學(xué)性能。相關(guān)成果在線發(fā)表在3月15日的《自然》雜志上。 hO8xH +;
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過(guò)去幾十年，晶體管的柵極尺寸不斷微縮。隨著尺寸進(jìn)入納米尺度，電子遷移率降低、靜態(tài)功耗增大等效應(yīng)越發(fā)嚴(yán)重。新結(jié)構(gòu)和新材料的開(kāi)發(fā)迫在眉睫。目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12納米以上。為進(jìn)一步突破1納米以下柵長(zhǎng)晶體管的瓶頸，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)巧妙利用石墨烯薄膜作為柵極，通過(guò)石墨烯側(cè)向電場(chǎng)來(lái)控制垂直的二硫化鉬（MoS_2）溝道的開(kāi)關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)等效的物理柵長(zhǎng)為0.34納米。石墨烯單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能，終于被實(shí)驗(yàn)性地體現(xiàn)在芯片上。 xcW\U^1d
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紐約州立大學(xué)布法羅分校納米電子學(xué)家李華民評(píng)價(jià)：這項(xiàng)新工作將柵極的尺寸極限進(jìn)一步縮小到僅一層碳原子的厚度，在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，要打破這一紀(jì)錄是非常困難的。 {UP[iw$~
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單層石墨烯厚度僅0.34納米，本身是平面結(jié)構(gòu)，這就要求溝道是垂直結(jié)構(gòu)，這是一大難題。另外石墨烯除了側(cè)壁能夠柵控，其表面也能柵控，因此屏蔽石墨烯表面電場(chǎng)也是難點(diǎn)，中國(guó)團(tuán)隊(duì)使用自氧化鋁層來(lái)完成這一點(diǎn)。 ,gQl_Amvz
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