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2023-02-24 10:33 |
中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管
近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。相關(guān)研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2Vertical β-Ga2O3U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantation”為題在線發(fā)表于Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters期刊。文章的第一作者分別為我校博士生周選擇和馬永健，我校龍世兵教授、徐光偉特任副研究員和蘇州納米所張曉東副研究員為共同通訊作者。 Lnr9*dm6q
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