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tfcalc68 2023-03-17 17:45

求助各位大佬，怎么才能過雙85環(huán)測？

用MGF2+H4這兩種材料，什么工藝才能過雙85環(huán)測呀？ :Hq#co  
目前試過：設定溫度320℃，MGF2速率3.0A/S，H4速率1.5A/S，最后鍍15nm  SIO2，速率1.5A/S，MGF2打底層，高溫高濕脫膜，看上去像是最外層膜脫落 U$7]*#@&  
也試過：320℃，MGF2速率5.0A/S，H4速率3.0A/S，最外層鍍10nm金剛膜，MGF2打底層，高溫高濕有亞克，太陽輻照脫膜 G1G*TSf  
用這兩種材料能過環(huán)測嗎？人都麻了
tfcalc68 2023-03-17 18:13
APC充氧流量的多少有什么影響嗎？
tfcalc68 2023-03-17 18:13
沒人給點意見嗎？
小時候_我很帥 2023-03-22 16:04
上離子源
yzhuang 2023-03-30 10:25
MgF2換成SiO2，損失一些光學性能，換來更好的穩(wěn)定性。
嚶?lián)糸L空 2023-03-31 01:31
建議測一下溫度，鍍膜時基片至少要在270°，起始真空度2.0E-3，H4充氧少一點，6.0E-3左右
flyinlove79 2023-05-26 22:20
氧化硅蒸發(fā)速率太小了，膜層太疏松吸潮后很容易脫膜
knight627 2023-06-08 09:15
不太理解為什么要用sio2+mgf2最外層這結構，無論是光譜還是致密性也應該是mgf2 或者mgf2+sio2更好，SIO2本就是柱狀結構
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