日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）設(shè)計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限�；诖嗽O(shè)計的光刻設(shè)備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，從而降低成本并大幅提高機(jī)器的可靠性和使用壽命。 mluW=fE