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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻軟件
極紫外光刻 (EUV) pF7N = mO //;(KmU9 嚴(yán)格的 OPC 和源優(yōu)化 C/QmtT~`e 嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀 )[J@s= 可檢測(cè)性 E
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2>F 離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差(包括非常量散射系數(shù))吸收器堆棧分析(EM-Stack)吸收器輪廓(側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC(小面積)多層鏡面結(jié)構(gòu) (PSM) KK5;6b j
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