| 海會 |
2008-06-28 17:10 |
改善激光器調(diào)制帶寬的措施
如果要使激光器的調(diào)制帶寬得到提高，關(guān)鍵是降低激光器的電學(xué)寄生因素的影響，尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)過程。 $bD`B'5
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制造高速激光器時，要想提高器件的3db帶寬，可以采取以下措施： {/(.Bpld
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①有源區(qū)采用應(yīng)變（補(bǔ)償）多量子阱結(jié)構(gòu)——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應(yīng)變和垂直于阱面方向的拉伸應(yīng)變，其價帶頂?shù)闹乜昭芗壣仙疫@種價帶發(fā)生退簡并，使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零，使室溫下的俄歇復(fù)合幾率減小，從而導(dǎo)致這種量子阱激光器的閾值電流下降，線寬增強(qiáng)因子減小以及弛豫振蕩頻率、調(diào)制帶寬、微分增益系數(shù)顯著提高。 _-sFJi8B
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②有源區(qū)p型摻雜 ——p型摻雜可減小穿過sch區(qū)域時的空穴輸運(yùn)，這對高速量子阱器件是主要的限制；p型摻雜可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中載流子的分布更加均勻。 aNs8T`
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