高亮度LED發(fā)光效益解決方案
高亮度LED雖然具備了更省電、使用壽命更長及反應(yīng)時間更快等優(yōu)點,但仍得面對靜電釋放(ESD)損害和熱膨脹系數(shù)(TCE)等效能瓶頸;本文將提出一套采次黏著基臺(Submount)的進階封裝方式,以有效發(fā)揮LED的照明效益。 me$$he
高亮度LED(High-brightness Light Emitting Diodes;HB LED)的出現(xiàn),在照明產(chǎn)業(yè)中掀起了一股狂潮。相較于傳統(tǒng)的白熱燈泡,HB LED因具備了更省電、使用壽命更長及反應(yīng)時間更快等主要優(yōu)點,因此很快的搶占了LCD背光板、交通號志、汽車照明和招牌等多個市場。 mxhW|}_-j
HB LED的主導(dǎo)性生產(chǎn)技術(shù)是InGaN,但此技術(shù)仍有一些瓶頸需要克服,目前掌握前瞻技術(shù)的業(yè)者紛紛針對這些瓶頸提出新的解決方案,希望能進一步拓展HB LED的市場。這些瓶頸中以靜電釋放(electrostatic discharge;ESD)敏感性和熱膨脹系數(shù)(thermal coefficient of expansion ;TCE)為兩大議題,其困難如下所述: >fwlg-
熱處理(Thermal Management) 9OZ>y0)K~
相較于LED 晶粒(die)的高效能特性,目前多數(shù)的封裝方式很明顯地無法滿足今時與未來的應(yīng)用需求。對于HB LED的封裝廠商來說,一個主要的挑戰(zhàn)來自于熱處理議題。這是因為在高熱下,晶格會產(chǎn)生振動,進而造成結(jié)構(gòu)上的改變(如回饋回路變成正向的),這將降低發(fā)光度,甚至令LED無法使用,也會對交錯連結(jié)的封入聚合體(encapsulating polymers)造成影響。 +V89J!7
僅管一些測試顯示,在晶粒(die)的型式下,即使電流高到130mA仍能正常工作;但采用一般的封裝后,LED只能在20mA的條件下發(fā)光。這是因為當芯片是以高電流來驅(qū)動時,所產(chǎn)生的高熱會造成銅導(dǎo)線框(lead-frame)從原先封裝好的位置遷移。因此在芯片與導(dǎo)線框間存在著TCE的不協(xié)調(diào)性,這種不協(xié)調(diào)性是對LED可靠性的一大威脅。 k>-'AWH^v
靜電釋放(ESD)
對電子設(shè)備的靜電損害(Electrostatic damage;ESD)可能發(fā)生在從制造到使用過程中的任何時候。如果不能妥善地控制處理ESD的問題,很可能會造成系統(tǒng)環(huán)境的失控,進而對電子設(shè)備造成損害。InGaN 晶粒一般被視為是"Class 1"的設(shè)備,達到30kV的靜電干擾電荷其實很容易發(fā)生。在對照試驗中,10V的放電就能破壞Class 1 對ESD極敏感的設(shè)備。研究顯示ESD對電子產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)備的損害每年估計高達50億美元,至于因ESD受損的LED則可能有變暗、報銷、短路,及低Vf (forward voltage)或 Vr(reverse voltage)等現(xiàn)象。 3G(skphE 以Submount技術(shù)突破瓶頸 d<?X3&J
為了突破這些InGaN LED瓶頸,CAMD公司提出一項特殊的解決方式。采用與醫(yī)學用生命支持設(shè)備相同的技術(shù),CAMD發(fā)展出一種硅載體(Silicon Carrier)或次黏著基臺(Submount),以做為InGaN芯片與導(dǎo)線框之間的內(nèi)部固著介質(zhì);當透過齊納二極管(Zener Diodes)來提供ESD保護的同時,這種Submount設(shè)計也能降低TCE不協(xié)調(diào)性的沖擊。 Tvrc%L(]
(圖一)顯示一個基本硅材質(zhì)Submount如何將兩個焊球與覆晶LED接合在一起的情況,在球體區(qū)域所見到的不同顏色圓圈是用來保護LED免受ESD損害的二極管架構(gòu)。此架構(gòu)除了能安全的抵銷高達 30kV的接觸放電,更超過IEC61000-4-2國際標準對最大值的要求。硅材質(zhì)與焊球扮演著振動吸收器,以疏緩熱膨脹效應(yīng)。 c}\
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d#Wn[h$" (圖一) Silicon Submount架構(gòu)上視剖析圖 c8\g"T 這樣做還有一些明顯的好處:以Submount粘著焊球,可以使LED晶粒緊密地與Submount接合在一起,再經(jīng)由打線連接到導(dǎo)線框。這種方式能降低因直接打線到LED晶粒所產(chǎn)生的遮光影響。 _!;\R7]
在圖一所示的Submount兩邊都有綠色的矩形區(qū)域,這是打線的區(qū)域。此外,因為Submount是一個光滑的硅表面,其上是鋁金屬層,因此能將一般損失掉的光度有效的反射出去。圖一中的覆蓋了大部分Submount的藍色區(qū)域,即是高反射性的鋁金屬層,它的作用猶如LED的一面反射鏡。 |{!Ns
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