csk9818 |
2009-06-15 13:02 |
LED晶圓之襯底材料比較
在LED晶圓(LED外延片)制程方面,不同的襯底材料,需要不同的磊晶(晶圓生長)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和封裝技術(shù),襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下9個方面,襯底的選擇要同時滿足全部應(yīng)該有的好特性。所以,目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工制程的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多,但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種,即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。 _v:t$k#sN }8Tr M0q8 如果我們來看LED襯底材料,好的材料應(yīng)該有的特性如下: DYkNP:+ ]Sg4>tp 1.結(jié)構(gòu)特性好,晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。 pTPWToKh NL%5'8F>, 2.接口特性好,有利于晶圓料成核且黏附性強。 E'zLgU)r` >QV=q`I 3.化學(xué)穩(wěn)定性好,在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。 p=_K P9 {[QCuR 4.熱學(xué)性能好,包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小。 S*<+vIo VJ;4~WgBz 5.導(dǎo)電性好,能制成上下結(jié)構(gòu)。 Z}6 nn!W-Bsqjh 6.光學(xué)性能好,制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。 6tBL?'pG 5SKj% %B2, 7.機械性能好,器件容易加工,包括減薄、拋光和切割等。 EEmYfP[3 c.y8
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