cyqdesign |
2010-01-30 21:45 |
半導體制造技術,作者:(美國)Michael Quirk,(美國)Julian Serda
半導體制造技術,作者:(美國)Michael Quirk,(美國)Julian Serda,譯者:韓鄭生,合著者:海潮和徐秋霞等. da[u@eNrnX 《半導體制造技術》詳細追述了半導體發(fā)展的歷史并吸收了當今最新技術資料,學術界和工業(yè)界對《半導體制造技術》的評價都很高。全書共分20章,根據(jù)應用于半導體制造的主要技術分類來安排章節(jié),包括與半導體制造相關的基礎技術信息;總體流程圖的工藝模型概況,用流程圖將硅片制造的主要領域連接起來;具體講解每一個主要工藝;集成電路裝配和封裝的后部工藝概況。此外,各章為讀者提供了關于質量測量和故障排除的問題,這些都是會在硅片制造中遇到的實際問題。 <&?gpRK 半導體制造技術》旨在介紹半導體集成電路產業(yè)中的新工具和技術,以便提高讀者在工作過程中理解與使用相同或類似工具的能力。全書在細節(jié)上覆蓋了用于亞0.25um(O.18um及以下)工藝的新技術,通過描述早期的工具和工藝來闡明現(xiàn)代技術的發(fā)展。書中包括銅互連、化學機械平坦化(CMP)、低K介質工藝、淺槽隔離(STl)、深紫外化學放大光刻膠、步進與掃描系統(tǒng)、具有雙大馬士革的銅金屬化等。書中還解釋了產業(yè)變化漫長歷史中的所有工藝和設備,以及工藝需求和設備性能的技術關系,并給出了設備潛在性能與最佳制造所需工藝參數(shù)之間的折中。 $>3/6(bW 《半導體制造技術》主要特點: idC4yH42 在工藝章節(jié)(第10章至第18章)中討論了關于設備和工藝的質量測量及故障排除等問題,在硅片制造中會遇到這些問題 fwojFS.K 全書通過大量生動的圖表和具體翔實的數(shù)據(jù)來解釋技術性內容,為讀者提供了視覺支持,以掌握抽象的概念和原理 _)7dy2%{q 每章最后有小結、關鍵術語、相關設備供應商網(wǎng)站和復習題 7-oH >OF^ 附錄中給出了關于安全性和技術信息等頗有價值的內容 ZwLD7j*) [attachment=24315] e#YQA u7=jtB 市場價:¥59.00 yn0OPjH 優(yōu)惠價:¥43.70 為您節(jié)。15.30元 (74折) *nB fF{y !9!kb H?M#7K~[ 第1章 半導體產業(yè)介紹 o@`&
h}
$ 目標 K)Nbl^6x 1.1 引言 qzVmsxBNP 1.2 產業(yè)的發(fā)展 {(7D=\eU 1.3 電路集成 C^@.GA 1.4 集成電路制造 *-timVlaE 1.5 半導體趨勢 c3gy{:lb 1.6 電子時代 G\\zk 1.7 在半導體制造業(yè)中的職業(yè) 62B` Z5j# 1.8 小結 }}3*tn<6 =a`l1zn8= 第2章 半導體材料特性 Ge+&C RhyX 目標 @15%fX`*o 2.1 引言 w#Y<~W& 2.2 原子結構 ;SzOa7 2.3 周期表 t6;Ln().Hw 2.4 材料分類 P!C!E/Jf5 2.5 硅 *v'&i) J 2.6 可選擇的半導體材料 H!Y`?Rc 2.7 小結 rO%
|PRP //G5lW/* 第3章 器件技術 29K09 0f 目標 krTH<- P 3.1 引言 _wWh7'u~G 3.2 電路類型 4-`C !q 3.3 無源元件結構 DRD%pm( 3.4 有源元件結構 &0O1tM*v 3.5 CMOS器件的閂鎖效應 K1Tq7/N 3.6 集成電路產品 ?aInn:FE 3.7 小結 +[9~ta|j 4uv'l3 第4章 硅和硅片制備 Bv$;yR 目標 WigC' 4.1 引言 fbSl$jn. 4.2 半導體級硅 93%U;0w[Nw 4.3 晶體結構 WlVC0& 4.4 晶向 06I'#:] 4.5 單晶硅生長 0@E[IDmp 4.6 硅中的晶體缺陷 dL>0"UN}- 4.7 硅征制備 lhAwTOn`Q 4.8 質量測量 TuphCu+Oh 4.9 外延層 q('O@-HA 4.10 小結 CD(2A,u)/ -p`hevRr 第5章 半導體制造中的化學品 WO*YBH@ 目標 j_SRCm~: 5.1 引言 Vw=e
| |