| 200713 |
2010-03-11 00:50 |
解析中國功率半導體的發(fā)展現(xiàn)狀
目前國內的功率半導體的現(xiàn)狀到底如何，和國外比較還有什么差距。為了更好的解答，半個月來，筆者和相關領導、業(yè)內專家、業(yè)界人士進行了交流，本博文將就國內的功率半導體的現(xiàn)狀到底如何分析如下。 $ bR~+C
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應該說，在中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，半導體分立器件的作用長期以來都沒有引起人們足夠的重視，政府的投入也很少，發(fā)展速度遠遠滯后于集成電路。 j3V
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國內分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，目前國際功率半導體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及，且主要為平面柵結構的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導體器件主要是以微波功率器件（SiCMESFET和GaNHEMT）為主，尚未有針對市場應用的寬禁帶半導體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。 EI%8 9i`3^
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從功率半導體的產(chǎn)品分類來說 'n3uu1C
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1.普通二極管、三極管國內的自給率已經(jīng)很高，但是在高檔的功率二極管，大部分還依賴進口，國內的產(chǎn)品性能還有不小的差距。 ?);v`]
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2.晶閘管類器件產(chǎn)業(yè)成熟，種類齊全，普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、高頻晶閘管都能生產(chǎn)。中國南車集團現(xiàn)在可以生產(chǎn)6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管，居世界領先水平，已經(jīng)在我國的機車上大量使用，為我國的鐵路現(xiàn)代化建設做出了貢獻。 sY&IquK^
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3.在功率管領域，逐步有國內的企業(yè)技術水平上升到MOS工藝，MOSFET的產(chǎn)業(yè)有一定規(guī)模，進入21世紀后，這類器件的產(chǎn)品已批量進入市場，幾十安培、200V的器件在民用產(chǎn)品上獲得了廣泛應用，進口替代已然開始。 .|70 ;
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4.IGBT、FRD已經(jīng)有所突破，F(xiàn)RD初見規(guī)模。IGBT從封裝起步向芯片設計制造發(fā)展，從PT結構向NPT發(fā)展，溝槽工藝正在開發(fā)中。IGBT產(chǎn)品進入中試階段， +'HqgSPyb
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5.在電源管理領域，2008年前十名都見不到國內的企業(yè)。 .t !x<B
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