| xuehai03666 |
2010-04-14 11:53 |
供應(yīng)新型多種離子源
CDNY-07LZ霍爾離子源 產(chǎn)品概述 O4E2 )N
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用于真空鍍膜過程中基底離子轟擊清潔及沉積過程中離子轟擊能量輸送。 T=R94
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廣泛應(yīng)用于：增透膜、眼鏡鍍膜、光纖光學、高反鏡、熱/冷反光鏡、低漂移濾波器、帶通濾波器、在線清洗、類金剛石沉積等。 "m H^Owai
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能夠改善薄膜的生長、優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)，增加鍍膜的一致性和重復(fù)性，低溫高速率鍍膜，清除工件表面水和碳氫化合物，增加薄膜密度，降低內(nèi)應(yīng)力低，清除結(jié)合力弱的分子，反應(yīng)氣體活度增加，薄膜成分易于控制。 kcOp O<oE
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主要特點 " LxJPt\
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結(jié)構(gòu)先進 hT]p8m
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充分借鑒國內(nèi)外先進的霍爾離子源的優(yōu)點，具有獨特的水冷和密封結(jié)構(gòu)，經(jīng)多次長時間的實驗證明，離子源能夠在很大的等離子體束流下長期穩(wěn)定工作。 o>*{5>#k'
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可在高溫環(huán)境下長期可靠工作 ^CE:?>a$
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在通常鍍膜工藝中，工件需加熱至很高溫度，整個真空室內(nèi)溫度很高，而本離子源良好的冷卻系統(tǒng)能保證離子源在 300℃的高溫環(huán)境下長期正常工作。 eS.]@ E-T
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等離子體束流大 6h,'#|:d
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為避免基片損傷，需要采用低能量大束流的等離子體進行輔助鍍膜。以往國內(nèi)采用的多因束流小(<1.5A)而很難達到理想的效果。本公司在大功率霍耳等離子體源的設(shè)計與制造技術(shù)上取得突破性的進展，制造出大束流下(>4A)長期穩(wěn)定工作的等離子體源。 '9[_ w$~(
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空間均勻性強 0jzA\
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