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2010-07-07 10:16 |
長春應(yīng)用化學(xué)研究所在高分子復(fù)合材料上取得重大突破
日前,中科院長春應(yīng)用化學(xué)研究所楊小牛研究員課題組在半導(dǎo)體/絕緣體高分子復(fù)合材料研究取得重大突破,其研究結(jié)果被國際著名期刊《先進功能材料》以 “卷首插畫”的形式給予重點報道。 Y+I`XeY hgi9%>oUB 在傳統(tǒng)觀念中,絕緣體會阻礙電荷傳輸,因此一般來講,在半導(dǎo)體/絕緣體復(fù)合材料中,絕緣相往往扮演著降低材料電學(xué)性能的角色。然而近年來研究人員發(fā)現(xiàn),在 特定外場條件下,復(fù)合材料二維表面處的載流子遷移率并不差。楊小牛課題組首次在體相半導(dǎo)體/絕緣高分子復(fù)合材料中發(fā)現(xiàn)并確認了絕緣基質(zhì)增強的半導(dǎo)體電荷傳 輸現(xiàn)象,隨后將這一規(guī)律推廣到無特定外場條件下的三維體系,并用更普適性的物理量—電導(dǎo)率來論證了這一點。 BpKgUwf;C i&?do{YQ) 通過控制聚噻吩/絕緣聚合物共混物制備過程中結(jié)晶和相分離的競爭關(guān)系,可抑制大尺度的兩相分離,由此得到均勻的半導(dǎo)體/絕緣體復(fù)合材料。這種材料表現(xiàn)出絕緣基質(zhì)增強的半導(dǎo)體電荷傳輸現(xiàn)象。研究人員認為,載流子以極化子形式在復(fù)合材料中進行傳導(dǎo)。由于絕緣基質(zhì)極化率較低,極化子在半導(dǎo)體/絕緣體界面處傳輸時受到周圍極化環(huán)境的影響較小,有助于降低界面處的電荷傳輸活化能,由此提高了兩相界面處的載流子遷移率。
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