| 昊量光電 |
2010-08-31 10:15 |
Nanoplus高性能DFB半導體激光器
Nanoplus高性能單模DFB半導體激光器（760nm—3000nm之間的任意中心波長），以及中紅外（7μm—12μm）中多個波長的單模量子級聯(lián)DFB-QCL激光器，該激光器采用獨一無二的側面金屬光柵技術，封裝包括TO-CAN和蝶形等，在波長和封裝上提供了多種選擇。 k{D0&
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Nanoplus公司脫離于烏茲堡大學（Wurzburg University）技術物理系并于1998年成立，一直致力于新型半導體激光器的研究。近日Nanoplus推出高性能單模DFB半導體激光器（760nm—3000nm之間的任意中心波長），以及中紅外（7μm—12μm）中多個波長的單模量子級聯(lián)DFB-QCL激光器，該激光器采用獨一無二的側面金屬光柵技術，封裝包括TO-CAN和蝶形等，在波長和封裝上提供了多種選擇。 8&yI1XM|
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Nanoplus DFB激光器應用案例： fGoJP[ae
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Nanoplus DFB激光器的一個重要應用是基于紅外吸收原理（TDLS）的氣體分析，另外在精準測量、醫(yī)療診斷、原子鐘和航天技術上也有重要的應用。如：圖3是用于燃燒控制的示意圖，通過嚴格監(jiān)控各氣體的成分比例（H2O, O2, CO, CO2, NH3, NO2等）實現(xiàn)更快更有效的燃燒，從而減少污染物的排放，減小能耗。如：圖4是用于大氣測量的示意圖，通過把半導體激光器、探測器安裝到飛行器上，實現(xiàn)對太空氣體的痕量分析。 ch33+~Nn
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Nanoplus高性能單模DFB半導體激光器優(yōu)勢： m"!Q5[
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相比其它DFB，Nanoplus DFB激光器的優(yōu)勢在于采用了創(chuàng)新的側面金屬光柵技術，而不是一般的半導體光柵技術，它的光學反射靈敏度和閾值電流都非常低，能夠獲得很好的光譜純度和非常高的邊摸抑制比（SMSR）。Nanoplus另一個核心技術是其對GaSb、GaAs等半導體材料的研究，使其實現(xiàn)了發(fā)射波長覆蓋整個近紅外區(qū)域。以2330nm DFB（用于CO氣體傳感、精確計量、航天技術等）為例：如圖5是光譜圖，標準參數(shù)輸出功率為3mw，正向電流為100mA，SMSR>32dB，其它參數(shù)如表格1所示。如圖6是中心波長和電流、溫度的關系，在溫度15°C~35°C，電流60mA~120mA內實現(xiàn)無模跳諧調，諧調范圍大于3nm。 IZs& 7
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近年來半導體激光器的應用越來越廣，DFB半導體激光器TDLS技術在燃燒控制、石油化工、安全泄漏、環(huán)境測量、科學研究等領域得到了廣泛的應用，為生命安全、節(jié)能環(huán)保、航空航天等事業(yè)做出了很大的貢獻。隨著DFB半導體激光器、光譜分析技術的逐漸成熟，更廣泛的氣體都可以通過Nanoplus DFB激光器得到精確的分析。 2"_5Yyb
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如需任何進一步關于DFB半導體激光器的信息，請與昊量光電聯(lián)系
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