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2011-03-04 10:22 |
國產(chǎn)極大規(guī)模集成電路平坦化材料量產(chǎn)
河北工業(yè)大學(xué)微電子技術(shù)與材料研究所所長劉玉嶺近日透露，由他主持的國家重大科技專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路平坦化材料與工藝技術(shù)”項(xiàng)目已進(jìn)入65納米特征尺寸研發(fā)階段，多層布線平坦化材料正式開始量產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)到6000噸。 6x _t X
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近年來，半導(dǎo)體器件高度集成化及高速化，設(shè)計(jì)尺寸逐漸縮小、配線多層化已成為必然趨向，多層布線關(guān)鍵課題平坦化技術(shù)格外受到注目。雖然目前有多種平坦化技術(shù)，但化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP）已被證明是目前最佳也是唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術(shù)。 \;%DDw
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該項(xiàng)目啟動(dòng)之時(shí)，團(tuán)隊(duì)就確定了不同于國外的技術(shù)路線、研究方法和材料材質(zhì)�！皣庵饕捎靡詸C(jī)械為主的酸性CMP技術(shù)路線，隨著微電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，酸性CMP技術(shù)顯現(xiàn)出多項(xiàng)亟待解決的技術(shù)難題，比如高粗糙度、難清洗、銅離子沾污、多種材料速率差引起的碟形坑深等問題�！眲⒂駧X介紹說，“針對(duì)這一現(xiàn)況，我們采用了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的堿性化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，實(shí)現(xiàn)多層布線CMP中要求愈來愈高的干進(jìn)干出的表面高潔凈化，達(dá)到低排放、節(jié)能、節(jié)水等環(huán)保要求�！� J|Xu]fg0
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據(jù)悉，“極大規(guī)模集成電路平坦化工藝與材料”項(xiàng)目2009年正式啟動(dòng)，已獲國家3265.8萬元經(jīng)費(fèi)資助。該項(xiàng)目以實(shí)現(xiàn)極大規(guī)模集成電路多層布線表面的高平整度、低粗糙度、低缺陷密度和高潔凈度為目標(biāo)，以130—65納米及其以下的超大規(guī)模集成電路CMP材料與工藝為主攻方向，開展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多種CMP拋光材料與CMP后清洗劑以及相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)。該項(xiàng)目將于2015年完成，屆時(shí)將打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進(jìn)口的狀況，同時(shí)促進(jìn)和帶動(dòng)我國多種高新技術(shù)相關(guān)材料超精密加工產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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