| cyqdesign |
2012-04-21 09:22 |
新納米點電子記憶體速度打破世界紀錄
據(jù)物理學家組織網近日報道，美國加州大學伯克利分校和臺灣新竹納米元件實驗室的研究人員，利用納米點創(chuàng)建的新電子記憶體技術，在寫入和擦除數(shù)據(jù)方面比當今主流電荷存儲內存產品要快10至100倍，打破了世界紀錄。相關研究結果發(fā)表于最新一期美國物理協(xié)會《應用物理學快報》。 R>HY:-2
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該系統(tǒng)在一層非導電材料中嵌入離散（非重疊）的硅納米點，每層跨度約3納米。每個納米點的功能相當于一個單獨的存儲位。為了控制內存操作，研究人員將這層材料用一層薄薄的金屬覆蓋，形成金屬柵極，以控制晶體管的“開”和“關”狀態(tài)。 @ZG>mP1Vo
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該論文合著者之一、臺灣新竹納米元件實驗室研究員謝佳民（音譯）說：“金屬柵極結構是向納米互補金屬氧化物半導體（CMOS）內存發(fā)展道路上的一個主流技術。新系統(tǒng)使用眾多的離散硅納米點來進行電荷的存儲和刪除。這些電荷以一個快速和簡單的方式進入（數(shù)據(jù)寫入）和離開（數(shù)據(jù)擦除）許多離散的納米點�！� t\%%d)d9
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研究人員通過使用超短脈沖的綠色激光有選擇性地激活金屬柵極內存金屬層周圍的特定區(qū)域。由于激光的亞毫秒級的爆發(fā)非常簡單而精確，研究人員因而能夠準確地創(chuàng)建每個納米點的開關。研究人員解釋說，這種記憶存儲方法相當強大，即使納米區(qū)域中有單個電荷運行失敗，幾乎也不會影響到其他電荷，由此便能建立穩(wěn)定而長期的數(shù)據(jù)存儲平臺。 6]Z O'Nwo
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研究人員說，用于相關設備的材料和工藝也與目前主流的集成電路技術兼容，其不僅能滿足當前的CMOS工藝生產線，也可應用于其他先進設備的結構。顯然，這種系統(tǒng)所具有的創(chuàng)紀錄速度、低電壓和超小尺寸的納米點特性將對現(xiàn)行的電子計算機及其他電子設備的內存提出挑戰(zhàn)。
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