| 藍譜里克 |
2013-04-08 13:04 |
半導體UVLED曝光
半導體UVLED曝光方法，適于利用一臺UVLED曝光機對晶片進行曝光。這種半導體UVLED曝光機至少是由用來承載晶片的曝光鏡頭以及液體循環(huán)裝置構成，其中液體循環(huán)裝置在曝光期間為曝光鏡頭與晶片之間供應液體。其特征在于，半導體UVLED曝光前，利用至少一對準光源對承載臺進行一對準操作，其中對準光源具有一特定波長，使液體揮發(fā)時對對準光源的影響降至最低，以防止液體影響前述對準操作。 Z<?OwAWz
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半導體UVLED曝光機的原理以及特點： q*7<)VwI
1、省電節(jié)能，減低成本，半導體UVLED曝光機的LED發(fā)光達到某種亮度時所消耗的能量只有15瓦左右，而傳統(tǒng)的燈達到同樣亮度要消耗1500瓦的能量，即使與UV鹵素燈相比，也可節(jié)省80%的能源。 w
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