隨著微納米技術(shù)向光學(xué)領(lǐng)域的擴(kuò)展，微納光學(xué)結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)已成為現(xiàn)代先進(jìn)制造的重要方向，其水平高低也是體現(xiàn)一個國家綜合實力的標(biāo)志之一。如何研制出面向微納光學(xué)結(jié)構(gòu)制造的光刻裝備成為相關(guān)領(lǐng)域科技工作者追求的目標(biāo)。
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　　11月29日，由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所（以下簡稱光電所）承擔(dān)的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該裝備用365nm波長的紫外光單次成像實現(xiàn)了22nm的分辨率，為光學(xué)超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、傳感芯片等納米光學(xué)加工提供了全新的解決途徑。 E%oY7.~-  
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　　突破分辨力衍射極限 H{J'# 9H  
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　　光學(xué)光刻作為主流的微電子芯片制造技術(shù)，具有獨特的優(yōu)勢。需要不斷地通過縮短波長、增大數(shù)值孔徑提高分辨力，來滿足微電子技術(shù)的發(fā)展。 HK\~Qnq  
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　　在光電所的努力下，本項目利用表面等離子體超分辨成像原理，突破了衍射極限，不是通過縮短波長或增大數(shù)值孔徑來實現(xiàn)的，為突破多個光刻分辨力節(jié)點提供了一種全新的技術(shù)。 FR2= las"z  
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