由氮化鋁鎵(AlGaN)制成的深紫外發(fā)光二極管(DUV-LED)由于其中的一層底層以階梯狀方式生長(zhǎng)而有效地將電能轉(zhuǎn)化成光能。 X\^& nLa  
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這一發(fā)現(xiàn)發(fā)表在Applied Physics Letters雜志上(“Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps”)，可能導(dǎo)致更高效的LED的發(fā)展。 K!D_PxV  
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基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管由于其在殺菌，凈化水，光療和與陽(yáng)光無(wú)關(guān)的高速光通信中的潛在用途而受到廣泛的研究關(guān)注。科學(xué)家正在研究提高將電能轉(zhuǎn)換為光能的效率的方法。 n#^?X