一個(gè)近乎完美的晶體管是由2D材料疊加而成的，且只有兩個(gè)原子厚的半導(dǎo)體層。2D材料具有推動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)展的潛力，但制造具有良好電接觸和穩(wěn)定性能的2D器件是一項(xiàng)巨大的挑戰(zhàn)。 >3ZhPvE-p'  
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哥倫比亞工程公司（Columbia Engineering）的研究人員表示稱(chēng)，與采用傳統(tǒng)工藝制造的2D半導(dǎo)體相比他們的方法對(duì)性能做出了極大改變，更重要的是，未來(lái)可以創(chuàng)建超潔凈設(shè)備提供可擴(kuò)展的平臺(tái)。 CY{!BV'  
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電氣工程助理教授James Teherani說(shuō)：“用2D材料制作設(shè)備是一項(xiàng)復(fù)雜的工作，設(shè)備在不同的運(yùn)行環(huán)境中差別很大而且經(jīng)常會(huì)快速降級(jí)，以至于在您測(cè)量它們時(shí)，會(huì)看到性能的下降�！� ^,t@HN;gA  
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該團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建了一個(gè)兩步驟的超清潔納米制造過(guò)程，將“混亂”的制造步驟(包括“骯臟”的金屬化、化學(xué)物質(zhì)和用于與器件形成電氣連接的聚合物)與有源半導(dǎo)體層分離開(kāi)來(lái)。一旦他們完成了混亂的制造，他們可以拿起觸點(diǎn)并把它們轉(zhuǎn)移到干凈的有源器件層保持兩層的完整性。 sf[|8}(  
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阿西特（Assit）教授Teherani說(shuō)：“這些半導(dǎo)體的薄度是福也是禍。雖然薄度允許它們透明并且可以拾取并放置在任何你想要的地方，這也意味著它幾乎零體積，設(shè)備幾乎完全是表面的。正因?yàn)槿绱耍�任何表面污垢或污染都�?huì)使設(shè)備退化。” fA?v\'Qq/  
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目前，大多數(shù)設(shè)備沒(méi)有封裝一層保護(hù)表面和接觸在制造過(guò)程中免受污染。該團(tuán)隊(duì)表明，他們的方法現(xiàn)在不僅可以保護(hù)半導(dǎo)體層，使其不會(huì)隨著時(shí)間的推移而出現(xiàn)性能下降，而且還可以產(chǎn)生高性能器件。該團(tuán)隊(duì)使用嵌入絕緣六方氮化硼（h-BN）中的金屬轉(zhuǎn)移觸點(diǎn)，然后將接觸層干式轉(zhuǎn)移到2D半導(dǎo)體上，2D半導(dǎo)體在氮?dú)馐痔紫鋬?nèi)保持原始狀態(tài)。該過(guò)程防止直接金屬化引起的損壞，同時(shí)提供封裝以保護(hù)器件。 `-{? !  
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據(jù)了解，研究人員對(duì)此近日已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一個(gè)穩(wěn)定可循環(huán)的過(guò)程，他們正在利用該平臺(tái)制造出能夠從實(shí)驗(yàn)室移出實(shí)際工程問(wèn)題的設(shè)備。 bu