7納米EUV工藝正式達到量產(chǎn)
對半導(dǎo)體行業(yè)來說,制程工藝可謂是關(guān)鍵中的關(guān)鍵。對芯片來說,密度更大、更先進的制程工藝有助于提升發(fā)熱控制,換言之甚至能做到提升性能但功耗卻減少。目前字面上最先進的制程工藝是臺積電和三星的7納米工藝,但這還不是終點。
日前,臺積電宣布,7納米EUV(極紫外光刻技術(shù))工藝正式達到量產(chǎn)要求,目前的良率已經(jīng)達到了和7納米技術(shù)初代相當?shù)乃疁,年?nèi)還將不斷優(yōu)化。臺積電預(yù)計,今年會有100萬塊300毫米晶圓被生產(chǎn)出來,對比去年猛增150%。 EUV技術(shù)不是什么神奇“BUFF”,而是另一種光刻方式。未來想要繼續(xù)往前推進制程工藝升級,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)難堪大任,EUV技術(shù)成為了唯一的出路。 雖然三星也已經(jīng)宣布7納米EUV技術(shù)將會在今年下半年量產(chǎn),但在時間上還是讓臺積電搶先了一步。這意味著臺積電在半導(dǎo)體代工中再次占得了先機,在和三星的比較中占得上風(fēng)。 目前來看,即將推出的海思麒麟985處理器很可能是首款采用7納米EUV工藝的芯片,正如去年麒麟980首發(fā)7納米工藝那樣。不過,蘋果A13處理器應(yīng)該也會采用臺積電7納米EUV技術(shù),接下來是年底推出的高通驍龍新旗艦芯片等。 按照臺積電的計劃,下一代5納米工藝也在積極準備之中,最早于2020年將進行量產(chǎn)。除此之外臺積電還推出了過渡性工藝6納米,將成為7納米和5納米之間的折中方案。 不過隨著密度不斷加大,現(xiàn)有的制程工藝已經(jīng)逼近物理極限,到最后逼近1納米的時候,想繼續(xù)往上突破便變得非常艱難,可能只有更換硅基材質(zhì)才能解決?上攵瑢脮r半導(dǎo)體行業(yè)將面臨重大危機,但如何突破困境,也是看點之一。 |