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CP、FT、WAT X |.'_6l.  
CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本�？梢愿�直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率。 現(xiàn)在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。 CP對整片Wafer的每個(gè)Die來測試 而FT則對封裝好的Chip來測試。 CP Pass 才會(huì)去封裝。 v$K`C;  
然后FT，確保封裝后也Pass。 lInq=  
WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定； CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數(shù)的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高； FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測試，有些甚至是待機(jī)測試； Ra'0 ^4t  
Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual CP 測試對Memory來說還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補(bǔ)回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。 '(5 &Sj/C  
CP是對wafer進(jìn)行測試，檢查fab廠制造的工藝水平 FT是對package進(jìn)行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平 對于測試項(xiàng)來說，有些測試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時(shí)間；但是有些測試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求） 一般來說，CP測試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。 在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。 e7t).s)b{  
FT相對來說簡單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測試的CP會(huì)更難，因?yàn)橐�做redundancy analysis，寫程序很麻煩。 8U/q3@EC  
CP在整個(gè)制程中算是半成品測試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監(jiān)控前道工藝良率，另一個(gè)是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項(xiàng)比FT要少些。最簡單的一個(gè)例子，碰到大電流測試項(xiàng)CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測。不過許多項(xiàng)CP測試后FT的時(shí)候就可以免掉不測了（可以提高效率），所以有時(shí)會(huì)覺得FT的測試項(xiàng)比CP少很多。 應(yīng)該說WAT的測試項(xiàng)和CP/FT是不同的。 muQH!Q  
CP不是制造（FAB）測的！ 而CP的項(xiàng)目是從屬于FT的（也就是說CP測的只會(huì)比FT少），項(xiàng)目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；因?yàn)榉庋b都會(huì)導(dǎo)致參數(shù)漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以確保最終成品FT良率。還有相當(dāng)多的DH把wafer做成幾個(gè)系列通用的die，在CP是通過trimming來定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節(jié)省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才會(huì)盲封的。 u ?7(A%  
據(jù)我所知盲封的DH很少很少，風(fēng)險(xiǎn)實(shí)在太大，不容易受控。 zawU  
WAT：wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測試 3uwu}aw  
CP：wafer level 的電路測試含功能 R,C)|*ef  
FT：device level 的電路測試含功能 CP=chip probing FT=Final Test CP 一般是在測試晶圓，封裝之前看，封裝后都要FT的。不過bump wafer是在裝上錫球，probing后就沒有FT FT是在封裝之后，也叫“終測”。意思是說測試完這道就直接賣去做application。 qo}-m7  
CP用prober，probe card。FT是handler，socket CP比較常見的是room temperature=25度，F(xiàn)T可能一般就是75或90度 CP沒有QA buy-off（質(zhì)量認(rèn)證、驗(yàn)收），F(xiàn)T有 CP兩方面 XASoS5  
1.    監(jiān)控工藝，所以呢，覺得probe實(shí)際屬于FAB范疇 n