主要用途 q[,R%6&'  
OrKT~JQVC&  
當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí)，產(chǎn)生了過(guò)量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測(cè)器通過(guò)顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置，通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。 >-./kI "  
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性能參數(shù) lLwQridFXh  
GXvo't@N  
a)InGaAs檢測(cè)器，分辨率：320*256 像素； BBuYO$p