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SEM掃描電子顯微鏡目前已經(jīng)廣泛應用于分析樣品表面形貌，且先進的FE-SEM(場發(fā)射掃描電鏡)可輕易達到30萬倍的放大倍數(shù)。 |Wh3a#  
SEM的高能聚焦電子束掃描樣品表面時，被激發(fā)的區(qū)域會產(chǎn)生二次電子。這些二次電子被收集起來轉化為電信號，最終以圖像的形式呈現(xiàn)出樣品表面形貌。 2"Os9 KD  
配備了EDX的SEM還可以進行元素成份分析，適用于確定材料組成成份、污染物鑒定以及分析樣品表面元素的相對濃度。雙束聚焦離子束系統(tǒng)融合了FIB和SEM，在進行高精度切割的同時又可以進行SEM成像，是一種非常強大的分析工具。

優(yōu)勢	局限
f-ltV<C_   - 優(yōu)良的空間分辨率 gq+SM i=   - 可以與FIB和EDX整合在同一個系統(tǒng)中 }u Y2-l   - 易于操作且分析快速	/k#-OXP~   - 樣品需要適合放入高真空中 o>el"0rn.h   - 導電性弱的樣品容易在樣品表面產(chǎn)生荷電效應

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銅納米孿晶分析 b/SBQ"B%  
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主要特點: Wh[QR-7Ew  
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• 專利的TriBETM技術具有二個BSE探測器，位于鏡筒內部的In-Beam BSE探測器接受高角背散射電子和樣品室的BSE探測器用于探測大角度范圍的背散射電子。二者結合，可以提供各種不同襯度的圖像。
• 專利的TriSETM技術具有二個SE探測器，位于鏡筒內部的In-Beam SE探測器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測器能提供最佳的形貌襯度。
• 電子束減速技術(BDT)包括了電子束減速模式（BDM），以及在這個模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號的高質量的透鏡內探頭。在電子束減速模式下，通過加在樣品臺上的負偏壓使得電子束在作用到樣品表面前降低能量。最低的著陸電壓可以降低到50eV。低電壓成像可以有效減少在觀察不導電樣品成像時出現(xiàn)的放電效應，也有利于對那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的觀察。在這個模式下，可以達到對于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。
• 新的肖特基場發(fā)射電子槍能使電子束流高達400nA并能實現(xiàn)電子束能量的快速改變，可以滿足EDX,EBSD,陰極熒光等分析的需要。

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