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拋光技術及拋光液
拋光技術及拋光液
發(fā)布:
探針臺
2019-08-14 09:59
閱讀:
2423
拋光技術及拋光液
Q0R05*
一、拋光技術
9?,i+\)qK@
最初的
半導體
基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢:
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