晶圓清洗 5x$/.U  
摘要：介紹了半導(dǎo)體IC制程中存在的各種污染物類型及其對(duì)IC制程的影響和各種污染物的去除方法, 并對(duì)濕法和干法清洗的特點(diǎn)及去除效果進(jìn)行了分析比較。 M:t!g%  
; c1 {2 u5 g) G   x/ f) `9 d關(guān)鍵詞：濕法清洗；RCA清洗；稀釋化學(xué)法；IMEC清洗法；單晶片清洗；干法清洗 i4<&zj})  
. Q# t, ~6 g6 f& j8 P/ ?中圖分類號(hào)：TN305.97 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B 文章編號(hào)：1003-353X(2003)09-0044-048 b1+6I_u.  
1前言 Z_b^K^4  
半導(dǎo)體IC制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項(xiàng)基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴(kuò)散、外延生長及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫?cái)U(kuò)散、離子植入前等均需要進(jìn)行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機(jī)物之雜質(zhì)。　 j /d?c5  
' O( O& o6 r7 [$ o6 S3 R! X2污染物雜質(zhì)的分類 .