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芯片制作工藝流程 lE!.$L*k  
工藝流程 RWoVN$i>  
1) 表面清洗 BqdGU-Q  
    晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。 [?(qhp!  
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2) 初次氧化 xK4E+^ b  
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    有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力 `6LVXDR  
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氧化技術(shù) !!mGsgnW  
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干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) KXUJ*l-5  
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濕法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 ?%/*F<UVQ  
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干法氧化通常用來(lái)形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來(lái)形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較 厚的SiO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)間。SiO2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過(guò)SiO2膜到達(dá)硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少。濕法氧化時(shí)，因在于OH基在SiO2膜中的擴(kuò)散系數(shù)比O2的大。氧化反應(yīng)，Si 表面向深層移動(dòng)，距離為SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜為透明，通過(guò)光干涉來(lái)估計(jì)膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm，如果預(yù)告知道是幾次干涉，就能正確估計(jì)。對(duì)其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計(jì)算出 Ye^xV,U@  
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(d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄時(shí)，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的親水性來(lái)判斷SiO2膜是否存在。也可用干涉膜計(jì)或橢圓儀等測(cè)出。 xsrdHP
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SiO2和Si界面能級(jí)密度和固定電荷密度可由MOS二極管的電容特性求得。(100)面的Si的界面能級(jí)密度最低，約為10E+10 --  10E+11/cm –2 .e V -1 數(shù)量級(jí)。(100)面時(shí)，氧化膜中固定電荷較多，固定電荷密度的大小成為左右閾值的主要因素。 <l>L8{-3  
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3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉積一層Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 fSGaUBiq}  
工藝流程 Eh[NKgYL  
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1) 表面清洗 ?}jjBJ&  
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    晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。 e'=#G$S?g  
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2) 初次氧化 GB>T3l"  
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    有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力 tMo=q7ig  
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氧化技術(shù) LrV|Y~  
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干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 2#'"<n,G
 
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