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涂敷光刻膠 2M&$Wuu.q  
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光刻制造過程中，往往需采用20-30道光刻工序，現(xiàn)在技術主要采有紫外線(包括遠紫外線)為光源的光刻技術。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造，硅基片表面光刻膠的涂敷、預烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕、以及光刻膠去除等工序。 jT-<IJh!o  
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(1)光刻膠的涂敷 w.^yP7:  
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    在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強劑或將基片放在惰性氣體中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜ�蝕時產(chǎn)生側面腐蝕(side etching)。光刻膠的涂敷是用轉速和旋轉時間可自由設定的甩膠機來進行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設定的轉速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質(zhì)，同時具有耐腐蝕性的材料。一般說來，正型膠的分辯率高，而負型膠具有高感光度以及和下層的粘接性能好等 特點。光刻工藝精細圖形(分辯率，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來決定，因此有良好的光刻膠，還要有好的曝光系統(tǒng)。 `tVy_/3(9  
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(2)預烘 (pre bake) d.AC%&W  
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    因為涂敷好的光刻膠中含有溶劑，所以要在80C左右的烘箱中在惰性氣體環(huán)境下預烘15-30分鐘，去除光刻膠中的溶劑。 bo>E"<  
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(3)曝光 r6 }_H?j  
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    將高壓水銀燈的g線(l=436 nm), i線(l=365nm)通過掩模照射在光刻膠上，使光刻膠獲得與掩模圖形同樣的感光圖形。根據(jù)曝光時掩模的光刻膠的位置關系，可分為接觸式曝光、接近式曝光和投影曝光三種。而投影曝光又可分為等倍曝光和縮小曝光�？s小曝光的分辯率最高，適宜用作加工，而且對掩模無損傷，是較常用的技術�？s小曝光將掩模圖形縮小為原圖形的1/5-1/10，這種場合的掩模被稱為掩模原版(reticle)。使用透鏡的曝光裝置，其投影光學系統(tǒng)的清晰度R和焦深D 分別用下式表示： H+x#gK2l  
R=k1 λ/NA 4Jykos2  
D=k2 λ/(NA) 2 MI*Sq\-i  
x7$ax79ly  
λ 曝光波長 &S-er{]]  
NA 透鏡的數(shù)值孔徑 vyU!+mlc  
k1、k2 為與工藝相關的參數(shù)，k1(0.6-0.8), k2(0.5) 0Oap39  
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