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CP、FT、WAT @!0j)5%  
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CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測(cè)試的成本�？梢愿�直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來(lái)；檢驗(yàn)封裝的良率。 '8*gJ7]  
現(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。 @ RTQJ+ms  
CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來(lái)測(cè)試 u\t[rC=yd  
而FT則對(duì)封裝好的Chip來(lái)測(cè)試。 0WF(Ga/o  
CP  Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。 X-:Ni_O\ty  
WAT是Wafer Acceptance Test，對(duì)專(zhuān)門(mén)的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過(guò)電參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定； puZ<cV e/  
CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高； .7ahz8v  
FT是packaged chip level的Final Test，主要是對(duì)于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試； eb9qg.9Z  
Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual gW/H#T,  
CP 測(cè)試對(duì)Memory來(lái)說(shuō)還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過(guò)MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過(guò)Laser Repair將CP測(cè)試中的Repairable die 修補(bǔ)回來(lái)，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。 *9j9=N?  
CP是對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試，檢查fab廠(chǎng)制造的工藝水平 &U4]hawbOU  
FT是對(duì)package進(jìn)行測(cè)試，檢查封裝廠(chǎng)制造的工藝水平 <'