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什么是聚焦離子束FIB： <a=k"'0  
聚焦離子束（Focused Ion beam簡寫FIB)是將離子源(大多數(shù)FIB都用Ga，也有設(shè)備具有He和Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。作用： Es+BV+x[.c  
1.產(chǎn)生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似 r%II
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2.用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 BoXGoFn  
3.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。 Q".
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FIB應(yīng)用： )%9P ;/  
FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計及加工過程中的應(yīng)用介紹： WQ1*)h8,9  
1.芯片IC電路修改，切線連線。 fYgX|#Me  
用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設(shè)計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設(shè)計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 1{bsh?zd  
FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 H_7X%TvXb  
2.Cross-Section 截面分析 lISu[{b?  
用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。 S)*!jI  
3.Probing Pad !J+< M~o}  
在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測試點, 以便進一步使用探針臺(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測IC內(nèi)部信號。 &;oWmmvz{  
4.FIB透射電鏡樣品制備 0V?:5r<  
這一技術(shù)的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆粒或表面改性后的包覆顆粒，對于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術(shù)可以制備研究界面結(jié)構(gòu)的透射電鏡試樣。技術(shù)的另一重要特點是對原始組織損傷很小。 =#{i;CC%