半導(dǎo)體是如今這個(gè)電子時(shí)代的基礎(chǔ)，但半導(dǎo)體內(nèi)的電子電荷還有很多秘密有待揭示，這限制了該領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。最近，一個(gè)國際科研團(tuán)隊(duì)稱，他們?cè)诮鉀Q這些已延續(xù)140年的物理學(xué)謎題上取得重大突破。他們研制出一種新技術(shù)，可獲得更多有關(guān)半導(dǎo)體內(nèi)電子電荷的信息，有望推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，使我們獲得更好的光電設(shè)備等。 z_A%>E4  
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為了真正理解半導(dǎo)體的物理性質(zhì)，首先需要了解其內(nèi)部載荷子的基本特性。1879年，美國物理學(xué)家埃德溫·霍爾發(fā)現(xiàn)，磁場(chǎng)會(huì)偏轉(zhuǎn)導(dǎo)體內(nèi)載荷子的運(yùn)動(dòng)，偏轉(zhuǎn)量可測(cè)為垂直于電荷流的電壓（霍爾電壓）。因此，霍爾電壓可揭示半導(dǎo)體內(nèi)載荷子的基本信息：是帶負(fù)電的電子還是名為“空穴”的帶正電的準(zhǔn)粒子、載荷子在電場(chǎng)中的移動(dòng)速度“遷移率”（μ）、在半導(dǎo)體內(nèi)的密度（n）。此后，研究人員意識(shí)到可用光進(jìn)行霍爾效應(yīng)測(cè)量。 bcz<t)  
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