目前，用于計算機處理器的硅集成電路正接近單個芯片上晶體管的最大可行密度，至少在二維陣列中是這樣。摩爾定律看似已難以維持。美國密歇根大學(xué)一研究團隊卻另辟蹊徑，將晶體管陣列帶入三維空間，在最先進的硅芯片上直接堆疊第二層晶體管。這一研究為開發(fā)打破摩爾定律的硅集成電路鋪平了道路。 <Dgf'GrJ  
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摩爾定律認為，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔兩年便會增加一倍。目前硅集成電路的晶體管密度已接近極限。而隨著硅晶體管尺寸變得越來越小，它們的工作電壓也在不斷下降，導(dǎo)致最先進的處理芯片可能會與觸摸板、顯示驅(qū)動器等高電壓接口組件不兼容，后者需要在更高電壓下運行，以避免錯誤的觸摸信號或過低亮度設(shè)置之類的影響。這就需要額外的芯片來處理接口設(shè)備和處理器之間的信號轉(zhuǎn)換。 toD!RE