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任務(wù)
半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （二） 我們將使原本本征的半導(dǎo)體產(chǎn)生多余電子的雜質(zhì)，稱為施體。如摻入p的情況。 46) Dopant 摻雜 在原本本征的半導(dǎo)體里主動(dòng)的植入或通過擴(kuò)散的方法將其它的原子或離子摻入進(jìn)去，達(dá)到改變其電性能的方法。如離子植入。 47) Dopant Drive in 雜質(zhì)的趕入 我們離子植入后，一般植入的離子分布達(dá)不到我們的要求，我們通過進(jìn)爐管加高溫的方式將離子進(jìn)行擴(kuò)散，以達(dá)到我們對(duì)離子分布的要求，同時(shí)對(duì)離子植入造成的缺陷進(jìn)行修復(fù)。 48) Dopant Source摻雜源 我們將通過擴(kuò)散的方法進(jìn)行摻雜的物資叫摻雜源，例如將Poly里摻入P的POCl3我們將其叫 摻雜源。 49) Doping摻入雜質(zhì) 為使組件運(yùn)作，芯片必須摻以雜質(zhì)，一般常用的有： |
