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半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （四） 以加強(qiáng)型NMOS為例，當(dāng)MOS管的通道長度變短，通道內(nèi)的橫向電場(chǎng)將增加，這使通道內(nèi)的電子因電場(chǎng)加速所獲得的能量上升，尤其是在通道與漏極相接的附近，電子的能量很高。 因?yàn)檫@些電子的能量比其它尚處在在熱平衡狀態(tài)的電子要高，所以稱為熱電子。所以漏極附近的電子便有機(jī)會(huì)被這些熱電子撞擊而提升至導(dǎo)帶，而產(chǎn)生許多的電子-電洞。 117) Hot Electron Effect熱電子效應(yīng) 在VLSI的時(shí)代 ，Short Channel Device勢(shì)在必行，而目前一般 Circuit應(yīng)用上又未打算更改Supply Voltage；如此一來，Vg = Vds = 5V情況下，將造成Impact Ionization（撞擊游離化）現(xiàn)象發(fā)生于Drain 鄰近區(qū)域。伴隨而生的Electron-Hole pairs(電子電洞對(duì))，絕大部份經(jīng)由Drain (Electrons) or Sub. (Holes)導(dǎo)流掉。 但基于統(tǒng)計(jì)觀點(diǎn)，總會(huì)有少部份Electrons（i. e. Hot-Electrons)所具Energy，足以克服Si-SiO2 的Barrier Height (能障)，而射入SiO2， 且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入過程中打斷Si-H鍵結(jié)，而形成Interface Trap于Si-SiO2界面。不論遵循上述二者之任一，均將導(dǎo)致NMOS Performance的退化(Degradation)現(xiàn)象。 118) HPM（hydrochloric acid hydrogen peroxidemixture） HCl+H2O2+DI Water混合液體的簡稱，常用來去除移動(dòng)金屬離子。 |
