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半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （七） 當(dāng)MOS組件愈小，信道的長度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體 的通道長度并不能無限制縮減，當(dāng)長度縮短到一定的程度之后，各種因通道長度變小所衍生的問題便會(huì)發(fā)生，這個(gè)現(xiàn)象稱為“短通道效應(yīng)”。 202) Selectivity選擇性 兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之: 例如，復(fù)晶電漿蝕： 對(duì)復(fù)晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分) 對(duì)氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分) 則復(fù)晶對(duì)氧化層的選擇性:S |
