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失效分析前樣品需要做哪些準(zhǔn)備工作?

發(fā)布:探針臺 2020-02-10 14:53 閱讀:2563
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失效分析樣品準(zhǔn)備: 6 GL.bS  
失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測試 1月6日 6xDYEvHS  
失效分析樣品準(zhǔn)備: EMe3Xb `  
失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 p_ H;|m9  
常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下: *OoM[wEY  
一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會影響對芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。 ! };OL Q  
1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 B;k3YOg  
2.樣品減。ㄌ沾,金屬除外) d<x7* OW)  
3.激光打標(biāo) '{e9Vh<x  
4.芯片開封(正面/背面) M|HW$8V3_2  
5.IC蝕刻,塑封體去除 ;"d>lyL  
二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點(diǎn)觀察區(qū)域,精度。 {xW HKsI>,  
1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 q\0CS>.  
2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 "'# 18&N  
3.觀測芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 !&8nwOG  
缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 YU*u!  
三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。 QJeL&mf  
1.Open/Short Test olHT* mr  
2.I/V Curve Analysis ]j=Eof%Rc  
3.Idd Measuring p,(gv])ie  
4.Powered Leakage(漏電)Test :>y?B!=  
四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。 P@LFX[HtM  
1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 D9hV`fA  
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 T/m4jf2  
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 3I}(as{Rp  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 8[PD`*w  
Hot Carriers Effect、ESD等問題 #pe#(xoI  
五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。 bSG}I|  
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1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 E:_m6 m  
2.Cross-Section截面分析 MXVQ90  
3.Probing Pad >g