1) Acetone 丙酮

丙酮是有機溶劑的一種，分子式為CH3COCH3

性質(zhì)：無色，具剌激性薄荷臭味的液體

用途：在FAB內(nèi)的用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻的清洗、擦拭

毒性：對神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對皮膚粘膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，吸入過量的丙酮蒸氣會刺激鼻、眼結(jié)膜、咽喉粘膜、甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識不明等。

允許濃度：1000ppm

2) Active Area 主動區(qū)域

MOS核心區(qū)域，即源，汲，閘極區(qū)域

3) AEI蝕刻后檢查

（1） AEI 即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前和光阻去除后，分別對產(chǎn)品實施主檢或抽樣檢查。

（2） AEI的目的有四：

          提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。

          達到品質(zhì)的一致性和制程的重復性。

          顯示制程能力的指標。

          防止異常擴大，節(jié)省成本

（3） 通常AEI檢查出來的不良品，非必要時很少做修改。因為除去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點密度增加。生產(chǎn)成本增高，以及良率降低的缺點。

4） Al-Cu-Si 鋁硅銅

金屬濺鍍時所使用的原料名稱，通常是稱為Target，其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁 1%硅．后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(Electromigration) 故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移

5） Alkaline Ions 堿金屬雕子

如Na+，K+，破壞氧化層完整性，增加漏電密度，減小少子壽命，引起移動電荷，影響器件穩(wěn)定性。其主要來源是：爐管的石英材料，制程氣體及光阻等不純物。

6） Alloy 合金

半導體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強Al與SiO2間inteRFace的緊密度，故進行Alloy步驟，以450℃作用30min，增加Al與Si的緊密程度，防止Al層的剝落及減少歐姆接觸的電阻值，使RC的值盡量減少。

7） Aluminum 鋁

一種金屬元素，質(zhì)地堅韌而輕，有延展性，容易導電。普遍用于半導體器件間的金屬連線，但因其易引起spike及Electromigration，故實際中會在其中加入適量的Cu或Si

8） Anneal 回火

又稱退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火。

a) 激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用。

b) 消除損傷：離子植入后回火是為了修復因高能加速的離子直接打入芯片而產(chǎn)生的損毀區(qū)（進入底材中的離子行進中將硅原子撞離原來的晶格位置，致使晶體的特性改變）。而這種損毀區(qū)，經(jīng)過回火的熱處理后即可復原。這種熱處理的回火功能可利用其溫度、時間差異來控制全部或局部的活化植入離子的功能

c) 氧化制程中的回火主要是為了降低界面態(tài)電荷，降低SiO2的晶格結(jié)構(gòu)

退火方式：

Ø 爐退火

Ø 快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等)

9） Angstrom 埃(Å)

是一個長度單位，1Å=10-10米,其大小為1公尺的佰億分之一，約人的頭發(fā)寬度的伍拾萬分之一。此單位常用于IC制程上，表示膜層(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度時用

10） Argon 氬氣

11） Arc Chamber 弧光反應室

弧光反應室,事實上就是一個直流式的電漿產(chǎn)生器。因為所操作的電流－對－電壓的區(qū)域是在弧光電漿內(nèi)。

16） BB ：Bird's Beak 鳥嘴

在用Si3N4作為掩膜制作field oxide時，在Si3N4覆蓋區(qū)的邊緣，由于氧或水氣會透過Pad Oxide Layer擴散至Si-Substrate表面而形成SiO2，因此Si3N4邊緣向內(nèi)會產(chǎn)生一個鳥嘴狀的氧化層，即所謂的Bird's Beak。其大小與坡度可由改變Si3N4與Pad Oxide的厚度比及Field Oxidation的溫度與厚度來控制

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17） Boat 晶舟

Boat原意是單木舟。在半導體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiC Boat用在溫度較高(Drive in)及LPSiN的場合。

18） BOE(Buffer Oxide Etching)

B. O. E.是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則做為緩沖劑使用。利用NH4F固定[H']的濃度，使之保持一定的蝕刻率。  

HF會侵蝕玻璃及任何硅石的物質(zhì)，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應用大量沖洗。

19） Boundary Layer 邊界層

假設(shè)流體在芯片表面流速為零，則流體在層流區(qū)及芯片表面將有一個流速梯度存在，稱為邊界層（Boundary Layer）

      

20） BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)

BPSG : 為硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2 , 加入B,P可以降低Flow 溫度，并且P吸附一些雜質(zhì)離子，流動性比較好，作為ILD的平坦化介質(zhì)。

22） Buffer Layer 緩沖層

通常此層沉積于兩個熱膨脹系數(shù)相差較大的兩層之間,緩沖兩者因直接接觸而產(chǎn)生的應力作用。我們制程最常見的緩沖層即SiO2，它用來緩沖SiN4與Si直接接觸產(chǎn)生的應力，從而提升Si3N4對Si表面附著能力

23） C1 clean

Clean的一種制程，它包括DHF(稀釋HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2O mixed)---HPM (HCl-H2O2-H2O mixed)

24)   Burn in預燒試驗

「預燒」(Burn in)為可靠性測試的一種，旨在檢驗出那些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。  

預燒試驗的作法，乃是將組件(產(chǎn)品)置于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層的外來雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式(Failure Mode)提早顯現(xiàn)出來，達到篩選、剔除「早期夭折」產(chǎn)品的目的。

  預燒試驗分為「靜態(tài)預燒」(Static Burn in)與「動態(tài)預燒」(Dynamic Burn in)兩種，前者在試驗時，只在組件上加上額定的工作電壓及消耗額定的功率。而后者除此外并有仿真實際工作情況的訊號輸入，故較接近實際況，也較嚴格。

基本上，每一批產(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預燒試驗，但由于成本及交貨期等因素，有些產(chǎn)品就只作抽樣 (部分)的預燒試驗，通過后才貨。另外，對于一些我們認為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進行。當然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過百分之百的預燒試驗

25) Carrier Gas 載氣

用以攜帶一定制程反應物（液體或氣體）進反應室的氣體，例如用N2攜帶液態(tài)TEOS進爐管，N2即可稱為載氣。

26)   Chamber真空室，反應室

專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應或金屬濺鍍等。因此常需對此空間的種種外在或內(nèi)在環(huán)境加以控制；例如外在粒子數(shù)(particle)、濕度等及內(nèi)在溫度、壓力、氣逞流量、粒子數(shù)等達到最佳的反應條件。

27) Channel 通道 ; 縫道

當在MOS的閘極加上電壓（PMOS為負，NMOS為正）。則閘極下的電子或電洞會被其電場所吸引或排斥而使閘極下的區(qū)域形成一反轉(zhuǎn)層(Inversion layer)。也就是其下的半導體p-type變成N-type Si，N-type變成p-type Si，而與源極和汲極成同type ，故能導通汲極和源極。我們就稱此反轉(zhuǎn)層為"通道"。信道的長度"Channel Length"對MOS組件的

   參數(shù)有著極重要的影響，故我們對POLY CD的控制需要非常謹慎