151) Ohmic Contact 歐姆式接觸

歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)(Active region)而不在接觸面。

　      欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：

（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障(Barrier Height)

（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≧1012 cm-3)

前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。

        若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。

152) OI(Operation Instruction)操作指南

它是我們在操作機臺,維護機臺等操作情況時的操作手冊,它規(guī)定了操作的先后順序。按照操作指南才會保證安全，保證工作的順利進行。

153) Oil pump

     1.  Oil pump結(jié)構(gòu):

            Oil temperature controller有很長的lIFetime

            Oil pump中oil的品質(zhì)對pump有很大影響，油品好，pump抽氣能力強，使用時間長

2.  Oil的作用：潤滑、降溫和密封。

154) ONO（Oxide Nitride Oxide氧化層-氮化層-氧化層）

　      半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì) (類似電容器)，以儲存電荷，使得數(shù)據(jù)得以在此處存取。

　       在此氧化層-氮化層-氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷 (如pinhole)的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補所缺。

155) Oxygen氧氣

        無色，無氣味，無味道雙原子氣體。在-183℃液化成淺藍色的液體，在-218℃固化。在海平面上，空氣中約占20%體積的氧，溶于水和乙醇，不可燃，可以助燃。

         在電漿光阻去除中，O2主要用來去除光阻用。

         在電漿干蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。

         目前O2氣主要用途在于電漿光阻去除。利用O2在電漿中產(chǎn)生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機物反應(yīng)產(chǎn)生CO2和H2O氣體蒸發(fā)，達到去除光阻的效果。

156) Outgassing 出氣

主要是指剩余的溶劑或水氣，來源于未經(jīng)完全固化的光阻、SOG或其他物質(zhì)。下圖是離子植入時因離子轟擊硅片表面的光阻而發(fā)生的出氣現(xiàn)象。

157) Oxidation 氧化

1）物質(zhì)原子失去電子的化學(xué)反應(yīng),也就是物質(zhì)與氧化合的過程。

2）脫氫,尤指在氧或其它氧化劑作用時脫氫

3）通過增加電負性的比例來改變一種化合物

半導(dǎo)體中熱氧化(Oxidation)：在爐管中通入O2(或H2O)與Si反應(yīng)形成二氧化硅(SiO2 )氧化層

熱氧化生長方式：干氧氧化 、水蒸氣氧化 、濕氧氧化 、氫氧合成氧化

158) Oxidation Furnace 氧化爐

氧化爐是芯片制造的基礎(chǔ)，其主要功用就是對硅片進行氧化制程，生成所需的二氧化硅層。

       擴散爐是集成電路生產(chǎn)工藝中用來對半導(dǎo)體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。

159) Oxide Trapped Charge 氧化層阻陷電荷

Qot,這類電荷沒有特定的分布位置，主要是因為芯片過程中的其它制程，如離子植入、電漿蝕刻以及物理氣相沉積所引起的電子及電洞，被氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或未飽和鍵所撲捉而陷入所造成的。所以帶正電或負電則不一定。

160) P磷

自然界元素之一。由15個質(zhì)子及16個中子所組成。

離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經(jīng)燈絲加熱分解得到的P+離子，借著Extraction抽出氣源室經(jīng)加速管加速后﹒布植在芯片上。

是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入

161) P Well  P井

在半導(dǎo)體行業(yè)里，一般在P-Sub上植入B以形成P-well,以便為后期形成NMOS.

162) Pad Oxide 墊氧化層

在制程中主要是起到緩沖層,一般做為SIN的墊底以抵消SIN的應(yīng)力，并且阻止光阻污染Si芯片表面。其制程條件為：

       溫度：950℃~1100℃;     氣體：O2或O2+TDCE(含氯的碳氫化合物)

       壓力：接近1ATM;         SiO2厚度：100 Å ~500Å

163) Particle Contamination塵粒污染

        “塵粒污染”：由于芯片制造過程甚為漫長，經(jīng)過的機器、人為操作處理甚為繁雜，但因機器、人為均或多或少會產(chǎn)生一些塵粒Particle，這些塵粒一旦沾附到芯片上，即會造成污染影響，而傷害到產(chǎn)品品質(zhì)與良率，此即“塵粒污染”。我們在操作過程中，應(yīng)時時防著各項塵粒污染來源。

164) Passivation 保護層

為IC最后制程，用以隔絕Device和大氣。可分兩種材料：a﹒大部分產(chǎn)品以PSG當護層(P Content 2-4%)，b.少部分以PECVD沉積的氮化硅為之。

         因與大氣接觸，故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack（龜裂）、Pin Hole(針孔)的防冶。

         除了防止組件為大氣中污染的隔絕之外，護層可當作下層Metal層的保護，避免Metal被刮傷。

165) PECVD電漿CVD

         PECVD英文全名為Plasma Enhancement CVD。CVD 化學(xué)反應(yīng)所需的能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化的CVD稱做PECVD。PECVD的好處是反應(yīng)速率快、較低的基板溫度及Step Coverage；缺點是產(chǎn)生較大的應(yīng)力，現(xiàn)Feb內(nèi)僅利用PECVD做氮化硅護層。

166) PH3,Phosphine 氫化磷

一種半導(dǎo)體工業(yè)用氣體。

         經(jīng)燈絲加熱供給能量后，可分解成:　P'，PH＋，PH2＋。(及H+)

       通常 P+最大�？捎少|(zhì)諳諳場分析出來，做N-type的離子植入用。

167) Phosphoric Acid 磷酸

一種糖漿狀或潮解性結(jié)晶狀三元酸H3PO4,用五氧化二磷水化或通過用硫酸瀝取法分解磷酸鹽(如磷酸鹽礦)得到,主要用于制造肥料和其它磷酸鹽,用于金屬防銹、糖的精制和軟飲料的調(diào)味劑.依溫度，濃度而定。在20℃ 50及75﹪強度為易流動液體，85﹪為似糖漿，100%酸為晶體。比重1.834，熔點42.35℃。在213﹪失去Y2H2O，形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蝕鐵及合金。對皮膚，眼睛有剌激性，不小心被濺到，可用水沖洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，濃度是85﹪，沸點156℃，SI3N4 與SIO2的蝕刻比約為30:1

168) Photo Resist光阻

        "光阻"為有機材料，系利用光線照射，使有機物質(zhì)進行光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生分子結(jié)構(gòu)變化，再使用溶劑使的顯像。

目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子樹脂(2)光活性物質(zhì)，依工作原理不同可分為正，負型二類:

yj\Nk
h  
(2) 負型:光活性物質(zhì)為Diazlde類，照后生成極不安定的雙電子自由基，能與高分子樹脂鍵結(jié)，而增加分子量，選擇適當溶劑便可區(qū)分分子量不同的曝光區(qū)與非曝光區(qū)。

169) PVD(Physical Vapor Deposition)物理氣相沉積

所謂的物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition），通常簡稱為（PVD）,就是以物理現(xiàn)象的方式，來進行薄膜沉積的一種技術(shù)。在半導(dǎo)體制程的發(fā)展上，主要的PVD技術(shù)有蒸鍍（Evaporation）以及濺鍍（Sputter）等兩種。前者是借著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫（接近其熔點）時所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積的；而后者，則是利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著粒子對被濺鍍物體電極（Electrode）的轟擊（Bombardment）,使電漿的氣相（Vapor Phase）內(nèi)具有被鍍物的離子（如原子），然后依薄膜的沉積機構(gòu)，來進行沉積。

170)  PID（Proportional , Integral , Derivation）

PID是一種控制方式。是比例，積分，微分的縮寫

171)  Pilot Wafer試作芯片

Pilot Wafer為試作芯片，并非生產(chǎn)芯片 (Prime Wafer)。在操作機器前，為了確定機器是否正常所作的試片，或機器作完維修、保養(yǎng)后所作的測試用芯片均稱為Pilot Wafer, 由于Pilot Wafer 所作出來的結(jié)果將決定該批的制程條件，故處理Pilot Wafer時， 所抱持的態(tài)度必須和處理Prime Wafer一樣慎重。

172) Pin Hole 針孔

在光阻制程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時，光阻薄膜無法完全蓋住芯片表面，而留有細小如針孔般的缺陷，在蝕刻制程時，很可能就被蝕刻穿透，而致芯片的報廢。

         在以往使用負光阻制程時，由于負光阻黏稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現(xiàn)針孔，故有些層次(如 Contact)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。目前制程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無針孔的問題存在，QC亦不做針孔測試。

173) Piranha Clean過氧硫酸清洗

過氧硫酸 (Peroxymonosulfuric Acid)又稱為CARO's acid，其主要由硫酸加雙氧水反應(yīng)生成，反應(yīng)式如下:

         H2SO4+H2O2 ＜＝＞H2SO5+H2O

  H2SO5為一強氧化劑，可將有機物氧化分解為CO2+H2O，因此在 IC 制程中常用來去除殘余的光阻，另外對金屬污染及微塵污染也有相當好的清洗效果。

Piranha原意為食人魚，在這里則是用來形容過氧硫酸與光阻的間的劇烈反應(yīng)。

174) Planarization 平坦化

平坦化就是把Wafer表面起伏的的介電層外觀，加以平坦的一種半導(dǎo)體制程技術(shù)。

為什么要進行平坦化？影響黃光制程的精確度和分辨率；影響金屬沉積的均勻性；影響金屬的Etching

       常見平坦化方法：

        BPSG:利用高溫?zé)峄亓鳎‵low和Reflow）原理，用于金屬層前的平坦化。

        SOG：即SPiN-ON GLASS,利用旋轉(zhuǎn)涂布的原理，達到局部平坦化，常用于0.35um以上制程的金屬層間的平坦化。

        CMP：即Chemical Mechanic Polishing,利用化學(xué)機械研磨原理，達到全面平坦化，常用于0.35um以下制程。

175) Plasma 等離子體

又稱電漿，是一種遭受部分離子化的氣體。藉著在兩個相對應(yīng)的金屬電極板上施以電壓，假如電極板間的氣體分子濃度在某一特定區(qū)間，電極板表面因離子轟擊所產(chǎn)生的二次電子，在電場的作用下，獲得足夠能量，而與電極板間的氣體分子因撞擊而進行解離、離子化、及激發(fā)等反應(yīng)，而產(chǎn)生離子原子原子團及更多的電子，以維持電漿內(nèi)的各粒子的濃度平衡。