184) Short Channel Effect  短通道效應

當MOS組件愈小，信道的長度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體

的通道長度并不能無限制縮減，當長度縮短到一定的程度之后，各種因通道長度變小所衍生的問題便會發(fā)生，這個現(xiàn)象稱為“短通道效應”。

185)  Selectivity選擇性

兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之:

例如，復晶電漿蝕：

        對復晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分)

        對氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分)

        則復晶對氧化層的選擇性:S

               20OO Å/min

file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps183.png         S=                   ＝10

                2OO Å/min

}I<r=?  
187) Silicide金屬硅化物

         "Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為：

(1) 導體接觸(Ohmic Contact)

           (2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact)

(3) 低阻閘極(Gate Electrode)

           (4) 組件間通路(Interconnect)

          在VLSI(超大型積逞電路)時代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應用為金屬接觸的Al，由于嚴重的穿入半導靠問題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術及應用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日益受重視。

          用于集成電路中的金屬硅化物限于近貴重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高溫金屬(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。

188) Silicon硅

        硅--SI (全各SILICON)為自然界元素的一種，亦即我們使用的硅芯片組成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以結晶狀態(tài)存在(重復性單位細胞組成)，每一單位細胞為田一個硅原子在中心，與其它4個等位硅原子所組成的四面體(稱為鉆石結構)如圖標中心原子以其4個外圍共價電子與鄰近的原子其原形或其價鍵的結合。硅元素的電子傳導特性介于金屬導體與絕緣體材料的間(故稱半導體材料)，人類可經(jīng)由溫度的變化，能量的激發(fā)及雜質滲入后改變其傳導特性，再配合了適當?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運用在人類的日常生活中。

189) Silicon Nitride氮化硅

        氮化硅是SixNy的學名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學氣相沈積法或電漿化學氣相沉積法所生成。

   前者所得的薄膜品質較佳，通常作IC隔離氧化技術中的阻隔層，而后者品質稍差，但因其沉積時溫度甚低，可以作IC完成主結構后的保護層。

190) Silicon Dioxide  二氧化硅

  即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是

a) 無定型結構

b) 很容易與硅反應得到

c) 不容于水

d) 好的絕緣性

e) SiO2/Si界面態(tài)電荷低

通過不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的應用：

l  緩沖層（buffer layer）

l  隔離層（isolation)

l  幕罩層（masking layer）

l  介電材料（dielectric）

l  保護層（passivation）

191) SOI(Silicon On Insulator)絕緣層上有硅

SOI“絕緣層上有硅”是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為"SOI" 的薄

層硅上制備。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流，提高開關速度，

降低功耗，實現(xiàn)高速、低功耗運行。作為下一代硅基集成電路技術，SOI廣泛應用于微電

子的大多數(shù)領域，同時還在光電子、MEMS等其它領域得到應用。

192) Siloxane  硅氧烷

硅氧烷是用來與含有Si-O網(wǎng)絡相溶的有機溶劑，本身含有有機類的官能基，如CH3和C6H5，

是屬于有機性的SOG來源，這些官能基，可以幫助改善這種SOG層的抗裂能力。

193) S.O.G.  Spin on Glass旋涂式玻璃

旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物的溶液均勻地平涂于芯片上，再利用加熱方式與溶劑驅離，并將固體硅化物硬化成穩(wěn)定的非晶相氧化硅。其簡單流程如下:

旋轉平涂→加熱燒烤→高溫硬化 (~450℃)

其結構如圖表示:

214) SPC （Statistical Process Control）

統(tǒng)計，過程，控制英文的縮寫，是一種質量管理方法。自制程中搜集資料，加以統(tǒng)計分析，并從分析中發(fā)覺異常原因，采取改正行動，使制程恢復正常，保持穩(wěn)定，并持續(xù)不斷提升制程能力的方法。

ü 因制程具有變異，故數(shù)據(jù)會有變異，而有不同的值出現(xiàn)穩(wěn)定時，其具有某種分配型態(tài)

ü 制程為一無限母體，只能以抽樣方式，抽取少數(shù)的樣本，以推測制程母體的情況

ü 故運用 “統(tǒng)計手法” 作為制程分析、管制及改善 的工具。

SPC的目的

Ø 維持正常的制程 (Under Statistical Control)

             事先做好應該做的 (標準，系統(tǒng)) – ex：monitor，機臺操作程序

             制程異常發(fā)生能偵測出，并除去之，防止其再發(fā)

Ø 能力要足 (Capable Process)

             能力指標

提升能力 – 持續(xù)改善 (廣義)  

215) SpecIFication(SPEC)

規(guī)范是公司標準化最重要的項目之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關事項的一切細節(jié)，包括機臺操作，潔凈室，設備及保養(yǎng)，材料，工具及配件，品管，可靠性，測試‥‥等等。

IC制造流程復雜，唯有把所有事項巨細靡遺的規(guī)范清楚，并確實執(zhí)行，才可能做好質量管理。所有相關人員尤其是現(xiàn)場操作人員底隨時確實遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī)范是否合理可行，相關規(guī)范是否有沖突，以達自主管理及全員參與標準化的目標。

216) Spike  尖峰

硅在400°C左右對鋁有一定的固態(tài)溶解度，因此沉積在硅表面上的鋁，當制程有經(jīng)歷溫度約

400°C以上的步驟時，Si因擴散效應而進入鋁，且鋁也會回填Si因擴散所遺留下來的空隙，而在鋁與硅底材進行接觸的部分。

217) Spike TC  針型熱電偶

218) Spin Dry  旋干

通過高速旋轉產(chǎn)生的離心力把硅片表面水滴驅除

219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）

用于中CR clean，化學組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴重有機污染

      H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2O

      H2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4

必須不斷補充H2O2

220) Sputtering  濺鍍，濺擊

利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著離子對被濺鍍物體電極的轟擊，使電漿的氣相（Vapor
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Phase）內(nèi)具有被鍍物的原子或離子，到達芯片表面并進行沉積。

221) Standard Clean:

標準清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM組成，SPM為H2SO4和H2O2以4：1混合，APM為NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM為HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。標準清洗可以除去有機物、Particle和金屬粒子，使芯片表面達到比較潔凈的狀態(tài)。

222) Step coverage階梯覆蓋能力

表征薄膜沉積時對晶片表面上不同幾何結構的覆蓋能力，簡單地說，即膜層均勻性。如下圖，當對表面有階梯的晶片進行膜層沉積時，因為沉積角度不同等因素，導致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，這樣的話沉積的膜層將無法完全填入洞中，極有可能造成孔洞（void）.

223) Stress  應力

對固體物體所施與的外力或其本身所承受的內(nèi)力，稱為“應力（stress）”.